【產通社，3月21日訊】安世半導體（Nexperia；原恩智浦標準產品事業(yè)部）官網消息，其已采用Trench 11技術實現(xiàn)具有史上最低導通阻抗的NextPower S3 MOSFET，該項突破并不影響其他重要參數，例如漏極電流（ID（max））、安全工作區(qū)域（SOA）或柵極電荷QG。

安世半導體Power MOSFET產品經理Steven Waterhouse先生表示：“安世半導體結合其獨有的NextPowerS3超結技術與LFPAK封裝，提供了具有低導通阻抗、高額定ID最大電流的MOSFET，同時不影響其SOA等級、質量和可靠性。這使新元件充分滿足要求高性能、高可靠性和高容錯性的應用需求，其中包括無刷直流（BLDC）電機控制（全橋式三相拓撲）；ORing服務器電源、熱插拔操作和同步整流；蓄電池保護；手機快速充電和直流負荷開關�！�


產品特點


很多應用均需要超低導通阻抗，例如ORing、熱插拔操作、同步整流、電機控制與蓄電池保護等，以便降低I2R損耗并提高效率。然而,具備類似導通阻抗的一些同類器件，由于縮小晶圓單元間隔,其SOA（評估MOSFET耐受性的性能）和最大ID額定電流需要降額。

安世半導體的PSMNR58-30YLH MOSFET的最大導通阻抗僅0.67歐姆,其最大額定漏極電流提升至380A。該參數對電機控制應用尤為重要，因為電機堵轉的瞬間會產生超大電涌，MOSFET必須可以承受這些電涌，才能確保安全可靠運行。一些競爭對手僅提供計算出的最大ID電流，但安世半導體產品實測持續(xù)電流能力高達380安培，并且100%最終生產測試的持續(xù)電流值高達190安培。

該器件支持LFPAK56（Power-SO8）和LFPAK33（Power33）封裝，二者均采用獨特的銅夾結構，可吸收熱應力，提升質量和可靠性。LFPAK56封裝的PSMNR58-30YLH，其安裝尺寸僅30平方毫米，管腳間距1.27毫米。


供貨與報價


查詢進一步信息，請訪問官方網站http://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/seeking-the-perfect-power-switch.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）