【產(chǎn)通社，3月3日訊】Transphorm Inc.消息，其第三代通過JEDEC認證的高電壓GaN平臺已通過汽車電子委員會（Automotive Electronics Council）汽車級離散半導(dǎo)體AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的壓力測試。這一成果標(biāo)志著該公司實現(xiàn)了第二個獲得汽車認證的產(chǎn)品系列。并且，值得注意的是，第三代GaN平臺在認證測試期間表現(xiàn)出了最高可靠性，能夠在175°C的溫度下運行。

Transphorm全球技術(shù)營銷副總裁Philip Zuk表示：“證明設(shè)備的質(zhì)量和可靠性應(yīng)該是影響客戶對高電壓GaN FET的信心的最關(guān)鍵因素，在汽車和電動汽車市場尤其是如此。為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，我們確保公司的GaN能夠在遠超過任務(wù)剖面要求的實際條件下保持其性能和可靠性。根據(jù)所發(fā)布的可靠性數(shù)據(jù)顯示，經(jīng)JEDEC認證的第三代平臺的現(xiàn)場失效率FIT為3個，與碳化硅的失效率相同。這一高可靠性水平使得Transphorm公司能夠成功推出工作溫度可達175°C的第三代汽車FET�！�


產(chǎn)品特點


Transphorm第三代AEC-Q101 GaN FET TP65H035WSQA具備35mΩ的典型導(dǎo)通電阻，并采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝。與其上一代產(chǎn)品——50mΩ第二代TPH3205WSBQA一樣，該設(shè)備主要面向插電式混合動力汽車（PHEV）與純電動汽車（BEV）的AC-DC車載充電器（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器及DC-AC逆變器系統(tǒng)。

Transphorm第三代設(shè)備于2018年6月推出，作為當(dāng)時最高可靠性、最高質(zhì)量[Q+R]的GaN FET進入市場。它們不僅具備更低的電磁干擾，而且抗噪聲性[閾值電壓為4V]和柵極穩(wěn)定性[±20V]得到了提高。這些先進的技術(shù)成果利用最少量的外部電路，成功降低切換噪聲并提高了產(chǎn)品在較高電流下的性能。

質(zhì)量和可靠性（Q+R）方面的改進使Transphorm有能力選擇JEDEC和AEC-Q101等擴展和加速標(biāo)準(zhǔn)測試。在本次最新通過的汽車認證中，該半導(dǎo)體制造商著重將該設(shè)備的耐熱極限較通過AEC-Q101認證的標(biāo)準(zhǔn)高電壓硅MOSFET提高25°C。

除證明了該GaN平臺的可靠性外，更高的溫度測試證明了Transphorm的AEC-Q101 GaN FET能夠在開發(fā)任何電動系統(tǒng)的過程中為設(shè)計工程師提供充足的熱余量。


供貨與報價


查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.transphormchina.com。（Donna Zhang, 張底工業(yè)剪報）    （完）