【產(chǎn)通社，2月16日訊】Transphorm Inc.消息，其公布了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管（FET）在600V和更高電壓下的業(yè)界第一份完整的驗(yàn)證數(shù)據(jù)集。這些數(shù)據(jù)是該公司2018年12月公告的延伸，該公告顯示Transphorm的GaN FET出貨量迄今已超過(guò)25萬(wàn)個(gè)。

Transphorm全球技術(shù)營(yíng)銷副總裁Philip Zuk解釋道：“在電源轉(zhuǎn)換市場(chǎng)中，質(zhì)量、可靠性和性能是衡量晶體管的三項(xiàng)主要指標(biāo)。我們始終堅(jiān)定地認(rèn)為，以質(zhì)量和可靠性為優(yōu)先考慮可以實(shí)現(xiàn)高壓GaN的成功。我們很自豪地看到這種戰(zhàn)略取得了積極的成果，并認(rèn)為有必要發(fā)布驗(yàn)證數(shù)據(jù)，以便潛在和現(xiàn)有客戶能夠了解GaN的真實(shí)能力。”

Transphorm質(zhì)量和可靠性副總裁Ron Barr表示：“僅僅本征數(shù)據(jù)是不夠的。本征測(cè)試為我們提供加速因子，我們將它與早期失效測(cè)試結(jié)合使用，以確定產(chǎn)品的早期失效率。這讓客戶可以輕松地對(duì)GaN器件做出準(zhǔn)確的評(píng)估。將本征數(shù)據(jù)與非本征數(shù)據(jù)和現(xiàn)場(chǎng)失效率相結(jié)合，就為GaN FET的性能提供了完整的基線�！�

該公司提供了兩種新的數(shù)據(jù)——早期失效率（ELF）和現(xiàn)場(chǎng)故障率——以完善驗(yàn)證數(shù)據(jù)集，這標(biāo)志著高壓GaN技術(shù)的又一個(gè)重要里程碑。他們進(jìn)一步地認(rèn)為，Transphorm的GaN可靠性與其他的硅和碳化硅（SiC）解決方案相比具有競(jìng)爭(zhēng)力并且有望超越——這是考慮到Transphorm的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)尚處于第一個(gè)成熟階段，而硅晶體管早已成熟且SiC的發(fā)展已有十年的歷史。

Transphorm的完整數(shù)據(jù)集涉及產(chǎn)品可靠性的五個(gè)方面：
- 產(chǎn)品認(rèn)證：符合JEDEC和AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。
- 超出標(biāo)準(zhǔn)要求的測(cè)試：包括在更高溫度和電壓下的開(kāi)關(guān)、單粒子燒毀（SEB）、HTOL和HTGB測(cè)試。
- 本征壽命：衡量設(shè)備的“老化”壽命；也定義了故障模式和加速因子。
- 非本征壽命或ELF：預(yù)測(cè)現(xiàn)場(chǎng)故障率，單位為一年的菲特（FIT）或百萬(wàn)分率（ppm）；用于保修計(jì)算。
- 現(xiàn)場(chǎng)故障率：衡量器件在客戶應(yīng)用中的實(shí)際現(xiàn)場(chǎng)性能。


ELF


即早期失效率提供了以FIT和ppm為單位的最真實(shí)的圖景。早期失效率是對(duì)可能導(dǎo)致器件失效的材料、設(shè)計(jì)和工藝控制中的潛在缺陷進(jìn)行評(píng)估。值得注意的是，ELF是大多數(shù)客戶保修索賠的原因，并且通常比老化故障發(fā)生得更早，比率也更高。因此，客戶應(yīng)使用ELF數(shù)據(jù)來(lái)確定保修風(fēng)險(xiǎn)和成本。Transphorm的ELF：
FIT：0.45；
ppm：4。


現(xiàn)場(chǎng)故障率


是客戶系統(tǒng)在生產(chǎn)中發(fā)生的與所售部件總數(shù)相關(guān)的器件數(shù)量。根據(jù)Transphorm已售出的逾25萬(wàn)個(gè)FET及其13億小時(shí)以上的累計(jì)工作時(shí)間，得出的現(xiàn)場(chǎng)故障率如下：
FIT：3.1
ppm：27.4（保守估計(jì)）

Transphorm的現(xiàn)場(chǎng)失效率與SiC齊平，據(jù)報(bào)道其數(shù)值低于5 FIT。此外，無(wú)論何種應(yīng)用，Transphorm的ppm率隨著時(shí)間的推移而持續(xù)下降，這表明其可靠性優(yōu)于目前報(bào)告的水平。


本征壽命


本質(zhì)上是設(shè)備的理論壽命，它假設(shè)材料老化是影響部件壽命的唯一因素。其數(shù)據(jù)使用“失效物理學(xué)”方法獲得，通過(guò)提高電壓和溫度以測(cè)量故障時(shí)間，并構(gòu)建用于預(yù)測(cè)最終壽命的相關(guān)模型。Transphorm的GaN本征老化數(shù)據(jù)：
平均無(wú)故障時(shí)間[MTBF]：1e11小時(shí) [1100+萬(wàn)年]
壽命[100 ppm]：1億小時(shí) [11,415年]

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