【產通社，12月15日訊】意法半導體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）官網消息，其在12月4日舊金山2018年IEDM（國際電子器件）展會上，其以一個28nm FD-SOI汽車微控制器的16MB EPCM陣列為例，介紹了內置嵌入式相變存儲器（ePCM）的28nm FD-SOI汽車微控制器（MCU）技術的架構和性能基準和最新進展。

意法半導體汽車與分立器件產品部總裁Marco Monti表示：“通過應用ST的制造工藝、設計、技術和專長，我們開發(fā)出一個創(chuàng)新的ePCM解決方案，成為首家有能力整合這種非易失性存儲器與28nmFD-SOI工藝，研制高性能的低功耗汽車微控制器的廠商�，F在樣片已經送到部分主要客戶手中，我們正在與客戶確認ePCM優(yōu)異的溫度性能和滿足所有汽車標準的能力，積極的反饋意見進一步加強了我們對其應用普及和市場成功的信心。


產品特點


隨著汽車系統(tǒng)的要求越來越高，提升處理能力、節(jié)能降耗、更大存儲容量等需求迫使微控制器廠商開發(fā)新的車用MCU架構。隨著固件復雜性和代碼量驟然大幅提高，對容量更大的嵌入式存儲器的需求是當前汽車工業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一。ePCM解決方案可以克服這些芯片級和系統(tǒng)級的挑戰(zhàn)，滿足AEC-Q100 0級汽車標準的要求，最高工作溫度達到+165°C。此外，意法半導體的ePCM技術保證在高溫回流焊工序后固件/數據保存完好，并且抗輻射，為數據提供更多的安全保護。

相變存儲器（PCM）是采用鍺銻碲（GST）合金制成，利用材料的物理性質在非晶態(tài)和晶態(tài)之間的快速熱控變化來存儲數據。非晶態(tài)對應邏輯0，晶態(tài)對應邏輯1，這兩種狀態(tài)在導電性質上存在差異，非晶態(tài)電阻高（邏輯0），晶態(tài)電阻低（邏輯1）。另外，閃存重寫數據需要至少一次字節(jié)或扇區(qū)擦寫操作，而PCM技術支持單個數據位修改，從而簡化了數據存儲過程中的軟件處理環(huán)節(jié)。意法半導體的相變存儲器得益于其與存儲單元和支持高溫數據保存的GST合金相關的專利技術。


供貨與報價


并從現在開始向主要客戶提供基于ePCM的微控制器樣片，預計2020年按照汽車應用要求完成現場試驗，取得全部技術認證。這些微控制器是世界上首批使用ePCM的微控制器，將被用于汽車傳動系統(tǒng)、先進安全網關、安全/ADAS系統(tǒng)以及車輛電動化。

查詢進一步信息，請訪問官方網站http://www.st.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）     （完）