【產(chǎn)通社，11月15日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點專項“高密度阻變存儲器材料及器件集成技術(shù)研究”項目啟動會11月5日召開，科技部高技術(shù)研究發(fā)展中心材料處處長史冬梅、主管楊斌，微電子所黨委副書記（主持工作）、副所長戴博偉出席會議。項目責(zé)任專家周彬教授、石瑛教授，項目咨詢專家錢正洪教授、楊中民教授、孫志梅教授、韓秀峰研究員、宋志棠研究員以及項目組科研骨干參加了會議。 

會上，戴博偉對高技術(shù)中心領(lǐng)導(dǎo)和項目專家的支持表示感謝，對當(dāng)前存儲器領(lǐng)域的形勢和現(xiàn)狀進(jìn)行了總結(jié)和展望，表示要圍繞關(guān)鍵技術(shù)開展創(chuàng)新突破。他代表微電子所向項目咨詢專家頒發(fā)了聘書。 

項目負(fù)責(zé)人、微電子所研究員張鋒匯報了項目的總體情況和實施方案。楊斌針對項目管理工作作了報告，從項目部署、管理方案、實施過程中的問題和原因等幾個方面對重點研發(fā)計劃的項目管理工作做了詳細(xì)介紹。與會專家聽取項目匯報后，對項目的布局進(jìn)行了肯定，對項目的具體實施提出了寶貴意見。 

“新型高密度存儲材料與器件”項目面向國家信息領(lǐng)域?qū)Ω咝阅艽鎯ζ骷夹g(shù)的重大戰(zhàn)略需求，擬開展面向高密度存儲的阻變存儲器（RRAM）研究，目標(biāo)突破若干個制約納米阻變存儲器高密度集成、性能優(yōu)化以及集成架構(gòu)的關(guān)鍵瓶頸，對促進(jìn)我國先進(jìn)存儲技術(shù)的發(fā)展起到基礎(chǔ)性支撐作用。

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