【產(chǎn)通社，11月8日訊】安森美半導(dǎo)體公司（ON Semiconductor Corporation；NASDAQ股票代碼：ON）官網(wǎng)消息，其新的電源模塊在高度集成和緊湊的封裝中提供極佳能效、可靠性和性能，增添至公司已然強(qiáng)固的電源半導(dǎo)體器件陣容。太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）逆變級(jí)和工業(yè)變頻驅(qū)動(dòng)器（VFD）等應(yīng)用中的功率級(jí)通常由分立的IGBT/MOSFET集成專(zhuān)用的驅(qū)動(dòng)器和額外的分立器件構(gòu)成。


產(chǎn)品特點(diǎn)


安森美半導(dǎo)體新的NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率集成模塊（PIM）提供緊湊、高度集成的方案，采用易于貼裝的封裝，節(jié)省空間和降低成本，極大地減輕設(shè)計(jì)人員的挑戰(zhàn)。

這些器件采用Q1和Q2封裝，用于30KW和50KW逆變器，集成場(chǎng)截止溝槽IGBT和快速恢復(fù)二極管，提供更低的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，并使設(shè)計(jì)人員能夠在低VCE（SAT）和低EON / EOFF損耗之間折衷，以充分優(yōu)化電路性能。直接鍵合銅（DBC）基底支持大電流，最大限度地降低寄生電感的影響，令設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)高的開(kāi)關(guān)速度，以及以12.7mm的爬電距離提供3000Vrms的隔離電壓。

此外，安森美半導(dǎo)體還推出了新的、充分優(yōu)化的、超緊湊的智能功率級(jí)（SPS）多芯片模塊FDMF3170，用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、人工智能加速器和電信設(shè)備中的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器。它集成兩個(gè)基于安森美半導(dǎo)體PowerTrench技術(shù)的高性能功率MOSFET，和一個(gè)具有高精度電流傳感器的智能驅(qū)動(dòng)器以實(shí)現(xiàn)最佳的處理器性能。


供貨與報(bào)價(jià)


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