【產(chǎn)通社，10月8日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，其先導(dǎo)中心9月29日籌辦的“集成電路先導(dǎo)技術(shù)系列研討會—先進(jìn)光刻”成功舉辦。此次會議包括“新型光刻及EUV光刻技術(shù)”和“計算光刻及EUV光刻仿真技術(shù)”兩個主題，微電子所所長助理、先導(dǎo)中心主任、系列研討會總負(fù)責(zé)人王文武研究員進(jìn)行會議致辭，科技處李平處長出席。會議由韋亞一研究員主持并介紹會議背景，簡要介紹了中科院微電子研究所的歷史、架構(gòu)、人才培養(yǎng)、科研方向和研究成果，以及中國科學(xué)院集成電路創(chuàng)新研究院（籌）的籌建思路、未來規(guī)劃和任務(wù)使命，著重闡述了在先進(jìn)光刻技術(shù)研發(fā)方向的未來研究趨勢和研討會主題。 

中國科學(xué)院大學(xué)副校長楊國強(qiáng)研究員、清華大學(xué)許軍教授、中科院上光所王向朝研究員、北京理工大學(xué)李艷秋教授、北京航空航天大學(xué)錢建強(qiáng)教授、中科院光電院周翊研究員、中科院理化所李嫕研究員、中科院長光所王麗萍研究員、上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司段立峰總監(jiān)、上海集成電路研發(fā)中心伍強(qiáng)副主任、徐州博康信息化學(xué)品有限公司毛國平副總經(jīng)理、復(fù)旦大學(xué)熊詩圣教授、北京燕東微電子有限公司劉曉靖副總經(jīng)理、北京理工大學(xué)馬旭教授、東方晶源微電子科技有限公司施偉杰副總經(jīng)理、廣東工業(yè)大學(xué)沈逸江副教授、北京華大九天軟件有限公司劉曉明經(jīng)理等專家學(xué)者參加了本次研討會。 

楊國強(qiáng)研究員做了《超過精細(xì)光刻膠的研發(fā)》報告，對我國在EUV光刻膠的研發(fā)成果進(jìn)行了概述并對未來研發(fā)進(jìn)行了展望。段立峰總監(jiān)做了《研制EUV光刻膠的機(jī)會和挑戰(zhàn)》報告，回顧了國際上EUV光刻機(jī)發(fā)展的歷史、研制的關(guān)鍵技術(shù)和難點，在技術(shù)和組織上對未來研發(fā)提出了策略和建議。毛國平副總經(jīng)理做了《實現(xiàn)中高端光刻膠的國產(chǎn)化——博康集團(tuán)的努力》報告，從企業(yè)研發(fā)視角、結(jié)合國際上知名企業(yè)和高校的聯(lián)合研發(fā)特點，對我國光刻膠的研發(fā)提出了參考和借鑒的模式。復(fù)旦大學(xué)熊詩圣教授做了《十納米以下嵌段共聚物導(dǎo)向自組裝光刻技術(shù)》報告，探討了如何利用化學(xué)預(yù)圖案引導(dǎo)嵌段高分子共聚物的自組裝，與300毫米先導(dǎo)線的兼容問題及其應(yīng)用。馬旭教授做了《基于壓縮感知的快速計算光刻技術(shù)》報告，將自適應(yīng)壓縮感知方法應(yīng)用于計算光刻領(lǐng)域，提出了一種基于線性壓縮感知的快速光刻系統(tǒng)光源優(yōu)化方法，以及基于非線性壓縮感知框架的快速光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法。施偉杰副總經(jīng)理做了《摩爾定律的助力劑：計算光刻的歷史、趨勢與挑戰(zhàn)》報告，在介紹的計算光刻歷史與發(fā)展趨勢基礎(chǔ)上，探討了“深度光刻”的概念和深度掩模優(yōu)化的研發(fā)實踐。沈逸江副教授做了《基于窄帶水平集和半隱式加性算子分裂的光學(xué)臨近校正》報告，引入了窄帶水平集算法和半隱式加性算子分裂等方法，對反向光刻算法的準(zhǔn)確性、計算效率和收斂性進(jìn)行了研究探討。 

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