【產(chǎn)通社，10月4日訊】中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所（Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics）官網(wǎng)消息，其應(yīng)用于2類切割DKDP晶體的連續(xù)過濾快速限制生長技術(shù)近期取得重要進(jìn)展。利用自主研發(fā)的連續(xù)過濾快速生長裝置，結(jié)合長籽晶點(diǎn)晶技術(shù)（籽晶長度92mm），在國際上首次獲得錐面限制生長的DKDP晶體，晶體尺寸為100×100×92mm。初步測試結(jié)果表明，晶體透明度好，材料內(nèi)部無宏觀缺陷。該晶體的成功生長，驗(yàn)證了連續(xù)過濾快速限制生長技術(shù)制備大口徑DKDP晶體的可能性，為后續(xù)400mm口徑DKDP晶體元件制備奠定基礎(chǔ)。

連續(xù)過濾快速限制生長技術(shù)存在一系列技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：
1）充分利用Ⅱ類DKDP晶體切割方向特點(diǎn)，提高晶體切片效率2-3倍；
2）采用長籽晶點(diǎn)晶及限制生長技術(shù)，DKDP晶體錐面生長完全被抑制，徹底消除了單錐及雙錐頭快速生長固有的錐柱交界面，解決晶體內(nèi)部寶塔型錐柱交界面誘導(dǎo)的局域位相畸變及電場增強(qiáng)的瓶頸；
3）實(shí)現(xiàn)了過飽和度與晶體坨料外形尺寸之間解耦合，消除了晶體外形對于過飽和度的依賴關(guān)系，增加了過飽和度調(diào)整優(yōu)化空間，在優(yōu)化晶體質(zhì)量同時(shí)，可以進(jìn)一步提升晶體生長速度，提高晶體生長效率20%以上。 

相關(guān)晶體制備技術(shù)已經(jīng)申請了專利（名稱：KDP類晶體長籽晶限制生長方法，公開號：CN 1078505844 A）。目前，研究團(tuán)隊(duì)正在對采用該技術(shù)制備的DKDP晶體樣品進(jìn)行評價(jià)。另外，針對大口徑DKDP晶體的限制生長開展進(jìn)一步攻關(guān)工作，有望獲得突破性進(jìn)展。 

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