【產(chǎn)通社，8月31日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，Henry Radamson研究員和王桂磊副研究員近日在先導(dǎo)中心8吋平臺上成功制造絕緣體上張應(yīng)變鍺（TSGOI）晶圓。

該項技術(shù)突破，實現(xiàn)了工藝過程中對Ge的誘導(dǎo)應(yīng)變微調(diào)，使Ge的帶隙改變?yōu)?.7eV。以此類Ge襯底制備的PMOS器件實現(xiàn)了506cm2V-1s-1的高空穴遷移率。這一成果為微電子學(xué)和光子學(xué)的單片集成提供了新的路徑和解決方案。

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