【產(chǎn)通社，8月31日訊】深圳基本半導(dǎo)體有限公司（Shenzhen BASiC Semiconductor Ltd.）官網(wǎng)消息，深圳衛(wèi)視深視新聞欄目“新時(shí)代新篇章新作為”系列報(bào)道，全面展示了其在第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果及企業(yè)發(fā)展規(guī)劃。

碳化硅（SiC）是目前新興的第三代半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)的硅材料相比，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高等獨(dú)特的性能，可廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、新能源汽車、智能電網(wǎng)、家用電器、消費(fèi)電子、國防軍工等領(lǐng)域，是世界各國半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。

基本半導(dǎo)體是中國碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)，自主設(shè)計(jì)研發(fā)6吋JBS碳化硅晶圓以及4吋MOSFET碳化硅晶圓，同時(shí)推出基于3D SiC技術(shù)的碳化硅肖特基二極管和MOSFET產(chǎn)品，各項(xiàng)性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。在深圳市委市政府的支持下，基本半導(dǎo)體與多家單位發(fā)起共建深圳第三代半導(dǎo)體研究院，打造國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心。

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