【產(chǎn)通社，6月30日訊】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，其高頻高壓中心在氮化鎵高壓電力電子器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，提出了一種低損傷、高性能的新型氮化鎵（GaN）橫向肖特基二極管結(jié)構(gòu)，有望提升各類(lèi)電源和無(wú)線(xiàn)充電系統(tǒng)的效率和功率密度，顯著降低系統(tǒng)成本，具有廣闊的市場(chǎng)前景。

肖特基二極管是各類(lèi)電源模塊、UPS、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)、無(wú)線(xiàn)充電應(yīng)用中必不可少的原件，主要用于整流、續(xù)流以及防護(hù)用途。對(duì)比傳統(tǒng)的硅基肖特基二極管，氮化鎵肖特基二極管更耐壓，適合于300V以上的電路系統(tǒng)，具有非常廣闊的應(yīng)用空間。傳統(tǒng)的氮化鎵肖特基二極管存在開(kāi)啟電壓與反向泄露電流相互制約的問(wèn)題。為滿(mǎn)足大規(guī)模生產(chǎn)制備的需求，開(kāi)發(fā)具有高均勻、高可靠的工藝是實(shí)現(xiàn)氮化鎵肖特基二極管產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。

微電子所副所長(zhǎng)劉新宇研究員的研究團(tuán)隊(duì)提出了一種基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料體系，通過(guò)采用導(dǎo)電機(jī)制融合和能帶分區(qū)調(diào)控的先進(jìn)技術(shù)路線(xiàn)改變傳統(tǒng)氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數(shù)之間的經(jīng)典調(diào)控規(guī)律，采用無(wú)損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進(jìn)一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測(cè)試結(jié)果達(dá)到1700V反向耐壓，正向開(kāi)啟電壓達(dá)到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場(chǎng)提供了一種新選擇。

基于該研究成果的論文“Recess-Free AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Controlled Schottky Rectifier with Low Turn-on Voltage and High Reverse Blocking”被2018年IEEE國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與功率集成電路會(huì)議（ISPSD 2018）收錄，團(tuán)隊(duì)成員康玄武在大會(huì)上作了口頭報(bào)告，這是中國(guó)科學(xué)院的科研團(tuán)隊(duì)首次受邀在該頂級(jí)國(guó)際會(huì)議上作大會(huì)報(bào)告。會(huì)后康玄武與產(chǎn)業(yè)界公司安森美（ON Semiconductor）和英飛凌（Infineon）等進(jìn)行了深層次技術(shù)交流并達(dá)成合作共識(shí)。

ISPSD是國(guó)際公認(rèn)的功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路領(lǐng)域最權(quán)威、最大型的頂級(jí)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議，是功率半導(dǎo)體器件的頂級(jí)國(guó)際會(huì)議。查詢(xún)進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.ime.cas.cn。    （完）