【產(chǎn)通社，6月30日訊】Qorvo公司（Nasdaq股票代碼：QRVO）官網(wǎng)消息，其新一代USB Type-C與USB Power Delivery 3.0產(chǎn)品，其高性能X頻段前端模塊（FEM）——QPM2637和QPM1002針對(duì)下一代有源電子掃描陣列（AESA）雷達(dá)設(shè)計(jì)，符合出口標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵（GaN），滿足任務(wù)關(guān)鍵型操作所必需的高RF功率生存性要求。

Qorvo高性能解決方案總經(jīng)理Roger Hall表示：“利用Qorvo經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的GaN技術(shù)，客戶可解決許多AESA雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)相關(guān)挑戰(zhàn)，包括提高功率輸出和可靠性。新推出的GaN模塊符合出口要求，提升了我們交付最高級(jí)別集成產(chǎn)品（4合1產(chǎn)品）的能力，有助于客戶針對(duì)任務(wù)關(guān)鍵性雷達(dá)系統(tǒng)選擇尺寸最小但性能最高的FEM。”


產(chǎn)品特點(diǎn)


新型FEM（QPM2637和QPM1002）采用公司的創(chuàng)新GaN技術(shù)構(gòu)建，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、可靠性、功率和生存性，同時(shí)可縮減尺寸、重量和成本。預(yù)計(jì)到2022年，適合雷達(dá)應(yīng)用的RF前端組件的需求量將超過(guò)10億美元，未來(lái)五年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為9%。由于GaN普及率明顯超過(guò)其他技術(shù)選項(xiàng)，因此預(yù)計(jì)未來(lái)五年，國(guó)防應(yīng)用的RF GaN器件市場(chǎng)（如雷達(dá)、電子戰(zhàn)和通信）的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到24%。

GaN FEM在緊湊的單封裝中集成了四種功能，包括RF開(kāi)關(guān)、功率放大器、低噪聲放大器和限幅器。典型的砷化鎵（GaAs）低噪聲放大器在不到100mW的輸入功率條件下都會(huì)受損，與之相比，GaN FEM的接收端可承受最高4W的輸入功率，且不會(huì)造成永久損壞。


供貨與報(bào)價(jià)


符合資格的客戶現(xiàn)在可索取這些符合EAR99出口要求的新產(chǎn)品樣品。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.qorvo.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）