【產(chǎn)通社，6月15日訊】群聯(lián)電子股份有限公司（Phison Electronics Corporation；TWSE股票代碼：8299）官網(wǎng)消息，個(gè)人數(shù)據(jù)量隨著照片、影音、游戲的存儲(chǔ)需求只增不減，全球存儲(chǔ)消費(fèi)者正朝向TB世代邁進(jìn)，而日系及美系兩大國際閃存制造廠不約而同在今年開始推出QLC閃存（NAND Flash）高密度內(nèi)存容量的3D NAND Flash以加速TB世代的來臨。有鑒于市場(chǎng)強(qiáng)勁需求，其USB、存儲(chǔ)卡、eMMC/UFS、SSD等閃存主控皆全面支持QLC規(guī)格，并正式推出第四代Smart ECC以發(fā)揮QLC之極致效能，讓存儲(chǔ)產(chǎn)品的記憶容量、讀寫延遲與存儲(chǔ)質(zhì)量達(dá)到完美平衡。


產(chǎn)品特點(diǎn)


QLC（四階存儲(chǔ)單元）NAND Flash技術(shù)具備高密度容量特性，相較于TLC（三階存儲(chǔ)單元）規(guī)格的NAND的位密度約高出3成以上，因此QLC規(guī)格產(chǎn)品的推出，將有助于帶動(dòng)TB（terabyte）等級(jí)大容量存儲(chǔ)裝置的普及化。群聯(lián)電子累積18年的閃存主控自主設(shè)計(jì)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，與閃存制造廠共同研發(fā)支持高密度內(nèi)存單元的閃存，包括從SLC、MLC、TLC至今日的QLC規(guī)格，具備完整芯片設(shè)計(jì)之自有技術(shù)，包括閃存主控差異化特性的NAND Flash ECC（Error Correction Code）的糾錯(cuò)效能推出SmartECC技術(shù)，使用群聯(lián)電子閃存主控搭配任何NAND Flash皆可以提升數(shù)據(jù)保護(hù)的效能，為了發(fā)揮QLC最大效能，群聯(lián)電子也特別推出第四代的Smart ECC。

群聯(lián)電子Smart ECC之?dāng)?shù)據(jù)糾錯(cuò)保護(hù)機(jī)制為，當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入到NAND Flash內(nèi)部時(shí)，控制器同時(shí)會(huì)產(chǎn)生一組校正碼與數(shù)據(jù)一起存入，數(shù)據(jù)從NAND讀回時(shí)若發(fā)生錯(cuò)誤，閃存主控會(huì)通過校正碼更正數(shù)據(jù)，若發(fā)生的錯(cuò)誤無法通過ECC校正碼成功更正，這筆數(shù)據(jù)就會(huì)進(jìn)入Smart ECC的補(bǔ)救流程, 藉由特別設(shè)計(jì)的Smart ECC算法修正數(shù)據(jù), 提升數(shù)據(jù)可靠性。


供貨與報(bào)價(jià)


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