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Nexperia LFPAK56 MOSFET改善了爬電距離與電氣間隙
2018/6/14 13:19:26     

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【產(chǎn)通社,6月14日訊】安世半導體(Nexperia;原恩智浦標準產(chǎn)品事業(yè)部)官網(wǎng)消息,其MOSFET 的LFPAK56封裝系列中的兩款器件目前已可投入使用,經(jīng)改善的爬電距離與電氣間隙滿足額定電壓在15-32V之間的電池供電設備的UL2595要求。器件與行業(yè)標準的Power-SO8占用空間100%兼容;尚無其它緊致表面安裝器件能滿足要求源極端頭和漏極端頭之間最小爬電距離與電氣間隙為1.5mm的UL2595標準。

國際產(chǎn)品營銷經(jīng)理Eric Su評論道:“UL2595是一個重要的很有可能被其他國際監(jiān)管機構采用的美國標準。此外,設備制造商寧愿設計一款符合最嚴格標準的全球產(chǎn)品,也不愿針對不同地理位置設計不同版本的產(chǎn)品。因此,設計人員必須意識到常規(guī)的Power-SO8器件達不到UL2595,但有兼容且方便替換的器件可供選擇!


產(chǎn)品特點


與使用引線接合法構造的一些相競爭Power-SO8類型不同,LFPAK56封裝采用一次性焊接至芯片表面的銅夾構造而成。這降低了擴展電阻,賦予LFPAK56出色的電氣和熱特性并提高了可靠性。增強型 SOT1023A封裝中的新款PSMN0R9-30ULD和PSMN1R0-40ULD N溝道MOSFET的爬電距離為1.5mm,電氣間隙為1.55mm。PSMN0R9-30ULD器件的額定電壓為30V,電阻為0.87mΩ,電流為300A,PSMN1R0-40ULD的額定電壓為40V,電阻為1.1mΩ,電流為280A。

PSMN0R9-30ULD和PSMN0R9-40ULD MOSFET是NextPowerS3系列器件的一部分,具有低RDS(on)、最大電流和牢固安全工作區(qū)(SOA)的優(yōu)點,是由電池供電的電機控制應用方面的完美選擇。


供貨與報價


查詢進一步信息,請訪問官方網(wǎng)站http://efficiencywins.nexperia.cn/innovation/innovating-to-meet-changing-standards-UL2925.html。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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