【產(chǎn)通社，6月14日訊】Transphorm Inc.消息，海韻電子工業(yè)股份有限公司（Seasonic Electronics Co.）在其新型1600W無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）平臺：1600T上使用了Transphorm的高電壓（HV） GaN FET。迄今為止，1600T是該電源制造商性能最高的PFC平臺，效率高達(dá)99%以上。尤其是與海韻電子上一代硅基平臺相比，引入GaN使得效率提高了2%，功率密度增加了20%。1600T平臺具有可擴展性，可在各類目錄產(chǎn)品中進(jìn)行部署，適用于充電器（電動踏板車、工業(yè)級充電器等）、游戲機、服務(wù)器以及PC電源市場等。

海韻電子研發(fā)總監(jiān)Paul Lin表示：“在我們研究能使公司達(dá)到世界領(lǐng)先效率水平的半導(dǎo)體技術(shù)時，氮化鎵作為極具吸引力的硅替代品脫穎而出。我們深知需要在公司的第一個高電壓GaN電源平臺中使用無橋式圖騰柱PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。因此，我們需要能夠成功使用該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體。此外，我們還需要一個能獲得公司標(biāo)準(zhǔn)保修支持的GaN解決方案。鑒于其經(jīng)過驗證的性能與可靠性能使我們滿足這些要求，公司最終在1600T平臺中選擇了Transphorm的FET�！�


應(yīng)用特點


該1600T平臺采用Transphorm的TP65H035WS器件，該產(chǎn)品為650V GaN FET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝，RDS（on）值為35mΩ。該晶體管在軟硬開關(guān)電路中實現(xiàn)了更高的效率，為電源系統(tǒng)工程師提供了設(shè)計產(chǎn)品時的更多選擇。此外，TP65H035WS可與常用柵極驅(qū)動器配套使用，用于在控制成本的同時簡化設(shè)計。

在開發(fā)GaN平臺和FET時，Transphorm優(yōu)先考慮質(zhì)量和可靠性（Q+R）。這一優(yōu)先考慮效果十分顯著，為設(shè)計人員提供了更高的安全性；與市面上的其他GaN FET相比，Transphorm GaN通�？商峁└蟮膬艨崭叨扰c更強的抗噪聲性。TP65H035WS的典型柵極閾值為4V（最大柵極電壓為±20V）。

由于相對而言，GaN在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域中尚屬新鮮事物，除技術(shù)本身之外，Transphorm還提供深入的現(xiàn)場應(yīng)用支持和實際操作培訓(xùn)。海韻電子借助這家半導(dǎo)體公司的專家之力，幫助其加強自身的設(shè)計，同時縮短了上市時間。例如，Transphorm提供的指導(dǎo)可幫助海韻電子公司團隊利用簡單、低成本的數(shù)字信號處理器（DSP）來控制圖騰柱PFC。

此外，Transphorm還在該平臺的元件選擇與系統(tǒng)布局方面提供了幫助，確保呈現(xiàn)最優(yōu)的GaN性能。最終，雙方的聯(lián)合開發(fā)對海韻電子公司提高熱效率同時增加功率輸出的能力產(chǎn)生了直接影響：成功打造出能夠?qū)崿F(xiàn)海韻電子公司愿景的HV GaN平臺。


供貨與報價


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