美國明尼阿波利斯（2006年2月9日）- FSI國際有限公司（Nasdaq: FSII）今日宣布：其PlatNiStrip鎳-鉑去除工藝已經(jīng)通過幾家全球最大的芯片制造商驗證，并且被他們應(yīng)用在65nm技術(shù)器件的生產(chǎn)中。自2005年3月發(fā)布以來，F(xiàn)SI的PlatNiStrip工藝專門設(shè)計來為芯片制造商提供先進的自對準多晶硅化物結(jié)構(gòu)(salicide formation)，該項工藝已經(jīng)引起了業(yè)界廣泛的關(guān)注。

“客戶們對我們能夠在他們的制造生產(chǎn)中快速地實現(xiàn)該工藝印象深刻，因此他們現(xiàn)在正使用鎳-鉑去除工藝制造65nm 的產(chǎn)品，”FSI董事長兼首席執(zhí)行官Don Mitchell先生說。“在FSI已有的平臺上不斷地提供并且快速加入先進的工藝能力，進一步鞏固了我們在表面處理領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者和高性能價格比伙伴的行業(yè)地位�！�

IC制造廠商已經(jīng)通過增加少量的鉑來提高鎳硅化物薄膜的熱穩(wěn)定性。但是，常用的去除未發(fā)生反應(yīng)鎳的辦法，在選擇性地去除未發(fā)生反應(yīng)鉑的時候是無效的，這樣會在晶圓的表面留下了鉑殘留物。FSI的PlatNiStrip鎳-鉑去除工藝，是一種應(yīng)用現(xiàn)場(point-of-use)配制混合酸的方案，能夠同時去除鎳和鉑而沒有殘留物，同時對硅化物、氧化物和氮化物具有高度選擇性，從而促成了鎳-鉑硅化物薄膜的整合。

晶圓廠的數(shù)據(jù)表明，客戶采用PlatNiStrip工藝后實現(xiàn)了器件性能的顯著提高，不僅使表面電阻率得到了降低，而且分布更加緊密，該項工藝可以通過采用業(yè)界標準的化學品和在標準的ZETA噴霧清洗系統(tǒng)上高性能價格比地實現(xiàn)。

ZETA是專為前段(FEOL)和后段(BOEL)、90nm及以下、200/300mm晶圓批量噴霧清洗而設(shè)計。該系統(tǒng)使用離心噴霧結(jié)合通用化學品輸送技術(shù)，可以以可控制的成分和溫度實現(xiàn)化學品的制備并直接配送到晶圓表面上。ZETA系統(tǒng)已被證明應(yīng)用范圍非常廣泛，包括自對準多晶硅化物結(jié)構(gòu)的鈷和鎳刻蝕、光刻膠去除、灰化后清洗、非超聲波微粒去除和晶圓回收。

FSI國際有限公司是一家為微電子制造提供表面處理設(shè)備技術(shù)及支持服務(wù)的全球性的供應(yīng)商。通過使用公司的多晶圓批量和單晶圓浸泡式、旋轉(zhuǎn)噴霧式、和超凝態(tài)過冷動力學等一整套清洗技術(shù)和產(chǎn)品組合，客戶能夠?qū)崿F(xiàn)他們的工藝性能、靈活性和生產(chǎn)能力目標。公司推出的支持服務(wù)項目包括了產(chǎn)品及工藝的提升，從而延長已安裝的FSI設(shè)備的使用壽命，使世界范圍內(nèi)的客戶的資本投資獲得更高的回報。詳情請訪問http://china.fsi-intl.com。