【產(chǎn)通社，5月1日訊】上海微技術(shù)工業(yè)研究院（Shanghai Industrial μTechnology Research Institute Co.,Ltd.，SITRI）官網(wǎng)消息，其HV600/HV650系列8吋硅基GaN外延晶圓產(chǎn)品面向量產(chǎn)應(yīng)用，具備高晶體質(zhì)量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點，同時實現(xiàn)材料有效壽命超過1百萬小時，成功解決了困擾硅基GaN材料應(yīng)用的技術(shù)難題，適用于中高壓硅基GaN功率器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。 


產(chǎn)品特點


相較于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料GaN具有寬禁帶、高飽和載流子速度、高擊穿電場、耐高溫、抗輻射等突出優(yōu)點，適用于新一代高速度、高效率功率器件制造，在無線充電、快充、云計算、5G通訊、激光雷達、新能源汽車等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。與此同時，硅基GaN材料具有明顯的成本優(yōu)勢，在采用大尺寸硅晶圓作為外延襯底的情況下，可以實現(xiàn)媲美傳統(tǒng)硅基功率器件的低成本制造。因此，硅基GaN技術(shù)也被認為是新型功率電子器件的主流技術(shù)。

為滿足600V/650V耐壓需要，上海微技術(shù)工研院采用超過4微米的厚膜外延生長技術(shù)。通過優(yōu)化的GaN外延晶體生長控制，解決了GaN與硅材料因晶格失配導(dǎo)致的晶圓翹曲、晶體質(zhì)量缺陷等問題。HV600/HV650系列材料實現(xiàn)了無龜裂、低翹曲度（≤±50μm）與低表面粗糙度（≤0.3nm），滿足了8吋功率器件的量產(chǎn)加工要求。

HV600/HV650系列8吋硅基GaN外延晶圓產(chǎn)品，突破了硅基GaN器件量產(chǎn)制造的材料瓶頸，在業(yè)界率先實現(xiàn)了1百萬小時以上的高可靠性。與此同時，HV600/HV650系列產(chǎn)品中也擁有6吋等小尺寸外延晶圓，滿足產(chǎn)業(yè)界對于多種尺寸的硅基GaN外延材料的需求。


供貨與報價


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