（產(chǎn)通社，4月16日訊）據(jù)估計(jì)，目前的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器系統(tǒng)之中，內(nèi)存要消耗近15%的電量，而隨著虛擬化和多核數(shù)據(jù)處理器對內(nèi)存需求的增加，預(yù)計(jì)這一數(shù)字還會(huì)攀升。為了應(yīng)對這一功耗問題，美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.，紐約證券交易所：MU）宣布，推出一款基于1Gb組件的DDR3模塊（工作電壓為1.35伏），以及基于2Gb組件的DDR2模塊（工作電壓為1.5伏），這兩款產(chǎn)品能為服務(wù)器行業(yè)提供電壓最低的DDR2和DDR3內(nèi)存設(shè)計(jì)以降低功耗。

下一代DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作電壓是1.5伏，DDR2內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作電壓是1.8伏。美光Aspen Memory系列節(jié)能內(nèi)存模塊增加新產(chǎn)品之后，不論服務(wù)器制造商愿意使用低電壓的主流DDR2內(nèi)存還是下一代DDR3內(nèi)存，他們都有更大的余地，來選擇滿足其設(shè)計(jì)需求的最佳內(nèi)存解決方案。美光的1.35伏DDR3 Aspen Memory服務(wù)器內(nèi)存模塊將采用1Gb的芯片，密度最高可達(dá)4GB，與標(biāo)準(zhǔn)的1.5伏1Gb型DDR3內(nèi)存模塊相比，功耗減少了21%。

此外，美光還新推出了基于2Gb組件的8GB容量、1.5伏DDR2內(nèi)存模塊，相比基于1Gb組件的8GB容量、1.8伏標(biāo)準(zhǔn)型DDR2內(nèi)存模塊來說，功耗降低了58%；這得益于電壓的降低，另外，更高密度的組件也降低了新產(chǎn)品的總功率。

如欲了解美光Aspen Memory節(jié)能系列產(chǎn)品的詳細(xì)信息，請登錄：www.micron.com/aspen。此外，歡迎使用美光的數(shù)據(jù)中心內(nèi)存功率計(jì)算器，估算美光Aspen Memory內(nèi)存模塊的成本優(yōu)勢，網(wǎng)址為：www.serverenergysaver.com。