【產(chǎn)通社，3月7日訊】美光科技（Micron Technology；NASDAQ股票代碼：MU）官網(wǎng)消息，其三種全新64層第二代3D NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲(chǔ)（UFS）2.1標(biāo)準(zhǔn)。全新美光移動(dòng)3D NAND產(chǎn)品提供256GB、128GB和64G三種容量選擇。

美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)副總裁Gino Skulick表示，“我們都希望智能手機(jī)提供大膽的新功能，而存儲(chǔ)對(duì)此起到了日益關(guān)鍵的作用。美光科技獨(dú)家提供移動(dòng)DRAM和3DNAND，并且我們的尖端設(shè)計(jì)將繼續(xù)實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的智能手機(jī)所需要的性能�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


該全新移動(dòng)解決方案基于美光業(yè)界領(lǐng)先的三級(jí)單元（TLC）3D NAND技術(shù)，可幫助智能手機(jī)制造商通過人工智能（AI）、虛擬現(xiàn)實(shí)和面部識(shí)別等新一代移動(dòng)功能來增強(qiáng)用戶體驗(yàn)。AI在旗艦級(jí)手機(jī)中的出現(xiàn)推動(dòng)了對(duì)能更快速高效地訪問數(shù)據(jù)的更先進(jìn)的存儲(chǔ)解決方案的需求。全新美光64層TLC 3D NAND存儲(chǔ)解決方案利用針對(duì)移動(dòng)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化的架構(gòu)滿足了這些需求，在更小的空間內(nèi)提供更多容量的同時(shí)，提供一致的高性能和低延遲。

該移動(dòng)3D NAND產(chǎn)品將更多的存儲(chǔ)單元集中到更小的芯片區(qū)域內(nèi)，并利用美光陣列下的CMOS（CuA）設(shè)計(jì)，提供一流的芯片區(qū)域。美光獨(dú)有的方法將所有閃存層置于邏輯陣列之上，最大限度地利用智能手機(jī)設(shè)計(jì)中的空間。

美光第二代TLC 3D NAND移動(dòng)技術(shù)具有多項(xiàng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，包括以下新功能：
- 美光針對(duì)移動(dòng)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化的架構(gòu)提供一致的高性能和低延遲，能夠增強(qiáng)用戶體驗(yàn)，同時(shí)通過使用高效的峰值功率管理系統(tǒng)將功耗降至最低。
- 全新美光64層TLC 3D NAND產(chǎn)品比上一代TLC 3D NAND快50%。

- 美光64層3D NAND技術(shù)比上一代TLC 3D NAND的存儲(chǔ)密度高1倍，封裝尺卻未變。
- UFS 2.1 G3-2L接口規(guī)范為移動(dòng)應(yīng)用提供極具吸引力的性能，并且?guī)挶萫.MMC 5.1高出多達(dá)200%，同時(shí)還提供同步讀寫功能。這為提供在捕獲高分辨率照片的突發(fā)數(shù)據(jù)或?qū)?K視頻記錄到存儲(chǔ)時(shí)所需的數(shù)據(jù)訪問速度奠定了基礎(chǔ)。
- 該新產(chǎn)品基于32GB芯片，尺寸為59.341mm2——是業(yè)界市場(chǎng)上最小的32GB TLC 3D NAND芯片。


供貨與報(bào)價(jià)


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