【產(chǎn)通社，3月4日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia；原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部）官網(wǎng)消息，其功率MOSFET產(chǎn)品NextPower 100V系列具備低反向恢復(fù)電荷（Qrr），且包括以LFPAK56（PowerSO8）封裝（結(jié)溫可達(dá)到175°C）的器件。

功率MOSFET產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker先生表示，“Qrr值是常常被關(guān)注的參數(shù)，該參數(shù)對許多設(shè)計方面有重大影響。低的尖峰意味著EMI降低了，同時優(yōu)化的死區(qū)時間進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了的效率增益。這也是我們在Nexperia所追求的。我們已經(jīng)展示了低QRR值對這兩項(xiàng)功能都是有益的。”


產(chǎn)品特點(diǎn)


NextPower 100V MOSFET是Nexperia針對高效開關(guān)和高可靠應(yīng)用的最新一代器件。其具備低50%的RDS（on）值和強(qiáng)大的雪崩能量指標(biāo)，因而是電源、電信和工業(yè)應(yīng)用方面的理想選擇，尤其適合用于USB-PD、Type-C充電器和轉(zhuǎn)換器及48V DC-DC轉(zhuǎn)換器。該器件具備低體二極管損耗，其Qrr值低至50納庫倫（nC）- 導(dǎo)致較低的反向恢復(fù)電流（IRR），較低的電壓尖峰（Vpeak）及降低的振鈴紋波（有利于進(jìn)一步優(yōu)化死區(qū)時間）。 

新型NextPower 100V MOSFET有三種可用的封裝形式：TO220和I2PAK插件封裝，及流行的LFPAK56封裝（貼片封裝）。所有封裝形式的器件都具備175°C的Tj（max），且完全符合IPC9592擴(kuò)展溫度要求，因而使NextPower 100V MOSFET特別適合于電信和計算方面的應(yīng)用。 


供貨與報價


NextPower MOSFET器件現(xiàn)已量產(chǎn)，可供貨。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.nexperia.com。    （完）