【產通社，11月23日訊】中科院蘇州納米所（Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics; SINANO）官網消息，為推動“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項“第三代半導體的襯底制備及同質外延”項目高效有序開展，10月26日此專項項目啟動會在蘇州工業(yè)園區(qū)順利召開。

在本次啟動會上，成立了由18名專家組成的項目專家咨詢組，分別為：蘇州長光華芯光電技術有限公司廖新勝總經理、中科院蘇州納米所徐科研究員、西安電子科技大學郝躍院士、中科院微電子所劉明院士、西北核技術研究所歐陽曉平院士、廈門大學張榮教授、北京大學沈波教授、南昌大學江風益教授、北京大學張國義教授、中科院蘇州納米所楊輝研究員、中科院上海技術物理研究所陸衛(wèi)研究員、國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟吳玲秘書長、中科院半導體所陳弘達研究員、大唐電信科技產業(yè)集團周彬教授、廈門大學康俊勇教授、南京大學陸海教授、北京大學王新強教授、中科院長春光機所黎大兵研究員。會議現(xiàn)場向專家們頒發(fā)了聘書。 

項目負責人王建峰研究員對科技部高技術中心、國家自然科學基金委、中科院科技促進發(fā)展局的各位領導、領域內專家及參與單位代表的到來表示感謝，隨后詳細介紹了項目的立項情況、總體目標并匯報了實施方案，包括各項任務的具體工作安排，時間節(jié)點安排，各課題技術路線設置及各課題之間、各單位之間的任務對接形式及時間等。 

本項目針對GaN、AlN襯底制備及同質外延技術路線發(fā)展所面臨的迫切需求及關鍵挑戰(zhàn)，研究HVPE、氨熱法、助熔劑法、PVT生長熱力學條件對生長行為的影響機理及調控規(guī)律；GaN及AlN襯底生長過程中缺陷形成與演化機理，降低缺陷密度的生長動力學調控技術，電學性質調控；熱失配、晶格失配條件下晶體生長應力調控技術、大尺寸襯底分離技術；同質外延表面成核、臺階生長，位錯延伸規(guī)律，同質外延器件中載流子輸運、復合規(guī)律及結構設計技術等，突破大尺寸、低位錯密度GaN、AlN單晶襯底的生長制備難題，實現(xiàn)4英寸GaN單晶襯底和新型模版襯底的量產，完成幾類重大應用器件的同質外延技術開發(fā)和應用驗證。 

隨后咨詢專家組與項目組進行了積極、熱烈而深入的討論，圍繞實施方案的難點及產業(yè)化關鍵問題進行了意見交流與建議指導，專家們表示對項目的實施完成充滿信心、對這只充滿朝氣的年輕隊伍充滿信心，希望大家可以為我國氮化物材料及器件的科學研究和產業(yè)發(fā)展做出更大的貢獻，趕超國際先進技術，助力全球氮化物產業(yè)發(fā)展。

查詢進一步信息，請訪問官方網站http://www.sinano.cas.cn。    （完）