| 中環(huán)半導(dǎo)體簽訂IGBT產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目及新型功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用創(chuàng)新中心共創(chuàng)單位框架協(xié)議 |
| 2017/11/4 16:15:34 |
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 【產(chǎn)通社,11月3日訊】天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司(Zhonghuan Semiconductor;股票代碼:002129)官網(wǎng)消息,湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對接會暨中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第三屆學(xué)術(shù)論壇9月22日在株洲隆重召開。中環(huán)股份董事長沈浩平應(yīng)邀出席本次會議,與業(yè)內(nèi)專家、學(xué)者就IGBT技術(shù)研究及IGBT在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域應(yīng)用前沿進(jìn)行交流與研討。會上中環(huán)股份作為國內(nèi)唯一半導(dǎo)體材料供應(yīng)商與業(yè)內(nèi)知名企業(yè)簽訂了IGBT產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目及新型功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用創(chuàng)新中心共創(chuàng)單位框架協(xié)議。   本次會議旨在匯聚全產(chǎn)業(yè)鏈資源,深入發(fā)掘產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求,搭建IGBT國際化學(xué)術(shù)講臺,加快推進(jìn)中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展,促進(jìn)產(chǎn)、學(xué)、研、用的合作,促進(jìn)IGBT產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步,促進(jìn)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步發(fā)展。   本次論壇中,中環(huán)股份作為國內(nèi)唯一半導(dǎo)體材料供應(yīng)商與時(shí)代電氣、國網(wǎng)聯(lián)研院、南網(wǎng)科研院、格力電器、中科院微電子所、湘投控股、時(shí)代新材、中車時(shí)代簽署新型功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用創(chuàng)新中心共創(chuàng)單位框架協(xié)議,與時(shí)代電動、時(shí)代電氣、格力電氣、中電普瑞簽署IGBT產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目合作單位協(xié)議,中環(huán)股份董事長沈浩平出席簽約儀式。   查詢進(jìn)一步信息,請?jiān)L問官方網(wǎng)站 http://www.tjsemi.com。 (完)
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