（產(chǎn)通社，2月25日訊）恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors) (由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司) 發(fā)布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產(chǎn)品采用了全球最小封裝之一的 SOT883進(jìn)行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0x0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據(jù)14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應(yīng)用而設(shè)計，包括DC/DC電源轉(zhuǎn)換器模塊、液晶電視電源以及手機和其他便攜設(shè)備的負(fù)載開關(guān)。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關(guān)速度和非常低的Rds(on)值，能夠幫助制造商滿足消費者對更緊湊、更節(jié)能的產(chǎn)品的需求。

恩智浦半導(dǎo)體產(chǎn)品市場經(jīng)理Dean Montano表示：“市場對體積更小、電池壽命更長的便攜設(shè)備的需求正促成一場激烈的競賽，各方都力圖將復(fù)雜的功能融入越來越小的外形尺寸中。SOT883 MOSFET系列產(chǎn)品基于恩智浦業(yè)經(jīng)驗證的四側(cè)無引腳扁平封裝(Quad Flat Non-leaded)技術(shù)，為客戶提供了一種功耗表現(xiàn)出色的環(huán)保型封裝，同時其性能完全能夠滿足當(dāng)今手機及移動計算應(yīng)用的要求�！�

除大幅減小MOSFET器件面積之外，恩智浦還取消了引腳，不但騰出了更多的電路板空間，還提高了散熱性能。憑借出眾的散熱性能和2.5伏時不足0.65歐姆的Rds(on)值，恩智浦新型MOSFET器件能夠提供比現(xiàn)有的1.0x0.6毫米MOSFET產(chǎn)品更高的流通能力。新型產(chǎn)品還擁有業(yè)界最快的開關(guān)速度，啟動時間僅為12-16納秒，關(guān)閉時間僅為17-24納秒。

SOT883 MOSFET器件采用純錫電鍍、高效封裝技術(shù)和不含有毒阻燃劑的環(huán)保塑料精制而成，符合所有環(huán)保規(guī)定。通過高密度封裝技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)180毫米卷帶(reel)上容納10,000個器件，降低了組裝成本和庫存要求。

SOT883只是恩智浦擁有的50多種空間節(jié)省型無鉛封裝產(chǎn)品線中的一種。改產(chǎn)品線中的產(chǎn)品管腳數(shù)從2個到24個、尺寸從1.0x0.6x0.4毫米到5.0x6.0x0.85毫米不等。這些封裝最大限度地發(fā)揮了電路板上的活性硅的作用，最大限度地減少了原料用量，降低了成本。恩智浦擁有業(yè)內(nèi)最廣泛的、采用無鉛封裝的多重市場半導(dǎo)體產(chǎn)品線。

恩智浦現(xiàn)提供以下各類采用SOT883封裝的產(chǎn)品：PMZ760SN、PMZ390UN、PMZ250UN、PMZ270XN、PMZ350XN�，F(xiàn)有樣品提供，批量生產(chǎn)交付周期為12周或以上。其他相關(guān)信息，請訪問：http://scn.nxp.acceptance.trimm.nl/acrobat/literature/9397/75016258.pdf。