（產(chǎn)通社，2月19日訊）設(shè)計與制造高性能射頻系統(tǒng)與解決方案的全球領(lǐng)先者——RF Micro Devices公司（Nasdaq股市代號：RFMD）日前宣布，推出正在申請專利的
MicroShield整合RF屏蔽技術(shù)。通過將RF屏蔽技術(shù)直接整合到RFIC或模塊中，RFMD的MicroShield整合RF屏蔽技術(shù)可消除對體積較大、成本較高的外部防護層的需求。這樣RFMD的MicroShield可將RF部分的高度和體積要求分別降低25%和50%，并可為客戶提供不受板布置影響的元件。

RF屏蔽技術(shù)降低了與電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)相關(guān)的輻射，并可將對外部磁場的敏感度降至最低。傳統(tǒng)RF屏蔽技術(shù)是使用封裝及保護電路板RF部分的外部金屬“罐”加以實施的。但這種實施成本高且非常耗時，因為用于RF屏蔽的這些“罐”必須根據(jù)單個電路板加以定制。此外，外部RF防護層還增加了RF區(qū)域的空間要求，更重要的是，它們會降低基礎(chǔ)RF電路的性能。這種性能降低會產(chǎn)生應(yīng)對外部防護層的這些影響所需的非常耗時的重新調(diào)諧過程。

通過將與外部磁場的接觸降至最少，以及防止能量泄漏到主機設(shè)備的不必要區(qū)域，RFMD的MicroShield整合RF屏蔽可降低EMI及RFI的影響。而且，通過消除對板布置的敏感性，RFMD的MicroShield消除了電路重新調(diào)諧風(fēng)險，從而可縮短產(chǎn)品上市時間以及降低RF實施成本。

在手機應(yīng)用中，對板布置的敏感性是一個關(guān)鍵因素，因為手機設(shè)計者及制造商日益依賴手機平臺來滿足他們的時間及成本要求。由于EMI與RFI輻射通常是導(dǎo)致性能不一致的主要因素，因此在將這些平臺應(yīng)用到單獨手機設(shè)計中時會遇到性能問題。憑借RFMD的MicroShield，手機制造商能夠放置高度復(fù)雜的RF模塊，因為它們將是如同不受EMI/RFI影響的任何元件，從而提供了對板設(shè)計與布局更改而言均非常強大可靠的真正“即插即用”解決方案。

使用MicroShield的手機制造商將獲得更高RF性能、更低總體成本、更低板面空間要求及總體RF實施輕松性等優(yōu)勢。RFMD的MicroShield整合RF屏蔽技術(shù)適用于任何模壓（overmolded）封裝技術(shù)，并且在RFMD的POLARIS 3 TOTAL RADIO解決方案中得到首次應(yīng)用。

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