【產(chǎn)通社，5月17日訊】群聯(lián)電子股份有限公司（Phison Electronics Corporation；TWSE股票代碼：8299）官網(wǎng)消息，其于2017年SD協(xié)會全球技術研討會上推出了可搭載東芝64層垂直儲存的3D NAND（BiCS3）的技術SD 5.1 A1規(guī)范兼容之MaxIOPS系列記憶卡控制芯片PS8131，相較于前一代2D NAND版本的產(chǎn)品，其效能速度快上2倍。

今年的SD協(xié)會全球技術研討會, 在SD協(xié)會主持下，百佳泰、東芝、群聯(lián)等也熱情參與協(xié)辦和支持并分享最新記憶卡技術, 共同推廣SD協(xié)會的最新規(guī)范，為新一代的高階行動及攝像裝置做準備。


產(chǎn)品特點


PS8131符合SD最新規(guī)范芯片，不僅具備群聯(lián)電子自主開發(fā)技術，更搭配了最新制程3D TLC的NAND Flash，將為市場提供一個高速且符合經(jīng)濟效益的完整解決方案。

在效能表現(xiàn)上，PS8131延續(xù)前一代的MaxIOPS系列技術，為具備SD 5.1 A1規(guī)范的NAND Flash高階控制芯片，能提供高于前一代產(chǎn)品2倍的隨機寫入速度（從500 IOPS提升至1300 IOPS），并強化了控制芯片的硬件及韌體架構，而且不僅能兼容于目前的Android Marshmallow操作系統(tǒng)，更能流暢支持最新的Nougat操作系統(tǒng)，與智能行動裝置的內(nèi)存透過嵌入式擴展儲存功能（Adoptable storage function） 完美的整合運作，讓終端使用者能有更高的內(nèi)存儲存容量可以使用，提升用戶經(jīng)驗。

在技術發(fā)展上，PS8131支持群聯(lián)電子自主開發(fā)的最新科技StrongECCTM糾錯技術，因此不但具備精簡及低功耗的設計特性，更能增加3D NAND Flash的可靠度，且預計于今年上半年開始出貨搭載具備東芝（Toshiba）64層垂直儲存的3D NAND（BiCS3）的高容量儲存解決方案，而PS8131容量支持將從32G至256GB皆可達到優(yōu)化表現(xiàn)。

另一方面，PS8131符合目前最新的SD 5.1 A1規(guī)范（Application Performance Class），具備超高性能，表現(xiàn)在Read/Write IOPS, PS8131 MaxIOPS+輕松達到2000/1300，遠高于SD 5.1 A1規(guī)范的1500/500，不但能為Android 7.0/6.0裝置的用戶提供即刻擴充內(nèi)部存儲器儲存容量的便利性，更能完美的與行動裝置內(nèi)存整合運作，將行動裝置用戶體驗提升到全新水平，以滿足日益增加的高容量移動儲存需求的智能型手機、平板計算機等新一代行動裝置擴展內(nèi)存儲存的需求。 


供貨與報價


查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.phison.com。     （完）