【產(chǎn)通社，4月24日訊】智原科技股份有限公司（Faraday Technology；TWSE股票代碼：3035）官網(wǎng)消息，其基于聯(lián)電40eHV與40LP工藝的新一代內(nèi)存編譯器（SRAM compiler）結(jié)合聯(lián)電最新0.213um2存儲(chǔ)單元（bit cell）技術(shù)與智原科技的優(yōu)化存儲(chǔ)器外圍電路設(shè)計(jì)，可自動(dòng)輸出具有世界最小單元面積的存儲(chǔ)區(qū)塊，尤其在40eHV的工藝節(jié)點(diǎn)，可顯著地為行動(dòng)裝置顯示器驅(qū)動(dòng)芯片（MDDI）相關(guān)應(yīng)用降低成本。

智原科技總經(jīng)理王國(guó)雍表示：“40nm將是生命周期很長(zhǎng)的工藝，而聯(lián)電的40納米工藝無論在IP、成本、良率與產(chǎn)能上都相當(dāng)具有競(jìng)爭(zhēng)力。智原將持續(xù)強(qiáng)化40nm的IP解決方案，相信這個(gè)0.213um2的內(nèi)存編譯器將可為客戶帶來立即而明顯的效益。”


產(chǎn)品特點(diǎn)
 

聯(lián)電推出40eHV與40LP工藝最小的0.213um2存儲(chǔ)單元后，智原立即率先推出相對(duì)應(yīng)的SRAM編譯器。相較于原先的0.242um2版本，新推出的編譯器在各種不同存儲(chǔ)大小與結(jié)構(gòu)配置條件下，可縮小存儲(chǔ)面積比例達(dá)15-30%。

透過智原優(yōu)化的存儲(chǔ)器外圍電路，可在不影響性能的情況下進(jìn)一步縮小面積、降低功耗；相較于某些使用相同0.213儲(chǔ)存單元的客制化存儲(chǔ)器，智原的方案可減少面積的比例約20%，為Full HD與WQHD顯示器驅(qū)動(dòng)芯片等講究SRAM IP面積的應(yīng)用提供關(guān)鍵性的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 


供貨與報(bào)價(jià)


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