【產(chǎn)通社，4月13日訊】天津中環(huán)半導體股份有限公司（Zhonghuan Semiconductor；股票代碼：002129）2016年年度報告顯示，其2016年研發(fā)投入達到39,145.24萬元，科技投入率達到5.77%。

在新能源材料方面，2016年公司在直拉單晶生長技術和產(chǎn)業(yè)化技術方面取得重大創(chuàng)新成果，該技術的應用使公司產(chǎn)品單晶的氧含量將較當前水平大幅度下降25%以上；同期，公司在超薄晶片金剛石線加工技術綜合研究方面也取得重大成果，使156MM的太陽能級硅片厚度減薄了20μm，并在2016年向公司全球的客戶交付批量訂單。

在電池片方面，公司持續(xù)開展的薄片化電池片項目達到國內(nèi)行業(yè)領先公司，從190μm行業(yè)標準硅片厚度推動工藝創(chuàng)新逐步下降到目前的170μm。

在低阻化PERC技術、電池多柵線技術方面的研發(fā)開始走到了國內(nèi)同行業(yè)的前面。

在創(chuàng)新能力和知識產(chǎn)權建設方面，公司通過持續(xù)的新技術應用和技術升級改善，提高生產(chǎn)、制造、運營管理效率，在創(chuàng)新方式上采用集成創(chuàng)新、聯(lián)合創(chuàng)新、集約創(chuàng)新，利用先進的數(shù)值模擬和實際試驗結合的方式完成了具有自主知識產(chǎn)權、具有國際領先水平的創(chuàng)新成果；同時建立了企業(yè)自己的研發(fā)平臺，核心部件自主配套體系，培養(yǎng)了一大批優(yōu)秀的科技人員、工程技術人員以及信息化管理人才，結合制造業(yè)“工業(yè)4.0”的先進理念，在ERP、MRP 2、工廠物流現(xiàn)代化、工業(yè)自動化控制等各方面都達到了國際先進、國內(nèi)領先水平。

報告期末，公司累計擁有授權知識產(chǎn)權212項，其中發(fā)明專利80項，實用新型97項，集成電路布圖設計35項。受理狀態(tài)的專利147項，其中發(fā)明專利113項，實用新型34項。并形成了省級（自治區(qū)級）研發(fā)中心4個，高新技術企業(yè)5家。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.tjsemi.com。    （完）