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中環(huán)半導(dǎo)體2016年?duì)I收678,333.53萬(wàn)元年增34.65%
2017/4/14 20:43:42     

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【產(chǎn)通社,4月12日訊】天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司(Zhonghuan Semiconductor;股票代碼:002129)2016年年度報(bào)告顯示,其報(bào)告期主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件、新能源材料、新材料的制造及銷售,高效光伏電站項(xiàng)目開(kāi)發(fā)及運(yùn)營(yíng),實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入678,333.53萬(wàn)元,較上年同期增長(zhǎng)34.65%,經(jīng)營(yíng)性現(xiàn)金流量?jī)纛~81,918.07萬(wàn)元,較上年同期增長(zhǎng)2.98%,歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)40,200.63萬(wàn)元,較上年同期增長(zhǎng)98.94%,盈利能力大幅度增強(qiáng)。

2016年,公司在超薄晶片金剛石線加工技術(shù)綜合研究也取得了重大成果,通過(guò)對(duì)切割鋼線形態(tài)調(diào)整、循環(huán)系統(tǒng)化學(xué)平衡自主控制系統(tǒng)研發(fā)、關(guān)鍵工藝設(shè)備改造和工業(yè)自動(dòng)化項(xiàng)目實(shí)施使公司156MM的太陽(yáng)能級(jí)硅片產(chǎn)品的晶片厚度進(jìn)行了優(yōu)化(通過(guò)產(chǎn)業(yè)下游客戶端的共同努力,已實(shí)現(xiàn)了較傳統(tǒng)厚度減薄20μm的硅片大規(guī)模應(yīng)用),下一步公司的太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片厚度將進(jìn)一步減薄到140-150μm。隨著超薄單晶硅片這項(xiàng)技術(shù)在全球光伏制造業(yè)方面的普遍應(yīng)用,將極大的提高單晶硅片相較于其他競(jìng)爭(zhēng)類產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力,并在不遠(yuǎn)的將來(lái)為以單晶硅片做襯底的太陽(yáng)能電池組件率先實(shí)現(xiàn)平價(jià)上網(wǎng)奠定了產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)。

在半導(dǎo)體材料方面,對(duì)國(guó)家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)“大直徑區(qū)熔硅單晶及國(guó)產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目進(jìn)行驗(yàn)收工作以非常優(yōu)秀的高分成績(jī)獲得項(xiàng)目專家組的高度贊譽(yù),進(jìn)一步提升了企業(yè)在區(qū)熔單晶領(lǐng)域的地位。環(huán)歐公司中標(biāo)“2016年工業(yè)強(qiáng)基工程”項(xiàng)目,該項(xiàng)目的實(shí)施,將促進(jìn)我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,提升我國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)的整體水平,推動(dòng)國(guó)內(nèi)相關(guān)的新型電子電力器件、節(jié)能型功率器件等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,實(shí)現(xiàn)高端材料的規(guī);a(chǎn),增強(qiáng)我國(guó)功率器件用硅基材料國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,進(jìn)一步拓展國(guó)際市場(chǎng),提高了公司半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)能力。

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