（產(chǎn)通社/深圳，11月21日訊）設計與制造高性能射頻系統(tǒng)與解決方案的全球領先者——RF Micro Devices（Nasdaq GS股市代號：RFMD）在其分析日宣布，公司已通過了第一代48V氮化鎵(GaN)工藝技術的技術認證。

RFMD堪稱全球領先的復合半導體制造商，公司充分利用了現(xiàn)有制造資產(chǎn)以及在高量產(chǎn)復合半導體設計與制造方面業(yè)經(jīng)驗證的專業(yè)技能，以提供其最新GaN工藝技術所具有的出色熱性能及RF性能。RFMD已開始向多個終端市場中的客戶預批量發(fā)運其48V GaN技術。

RFMD的48V GaN工藝技術非常適于滿足客戶日益增長的對更高功率、更高效率及更大帶寬的需求。公司正在瞄準多個高增長應用，包括高線性有線電視線路放大器、軍用雷達應用、高帶寬無線基礎設施功率放大器，以及面向創(chuàng)新高亮度光發(fā)生應用的功率模塊。

RFMD多市場產(chǎn)品部總裁Bob Van Buskirk指出：“我們正在生產(chǎn)以及正在開發(fā)的多個產(chǎn)品將從我們最新GaN技術的引用中獲益。這種新的工藝技術為我們新成立的多市場產(chǎn)品組提供了直接的競爭優(yōu)勢，我們GaN技術在多個終端市場中的不斷部署將支持我們有關收入與利潤隨我們多市場產(chǎn)品組的持續(xù)發(fā)展而增長的預期。”

Van Buskirk繼續(xù)說道，“與當前可用的技術相比，RFMD的新GaN工藝技術可提供更高效率、更大的運行帶寬以及更高的強健性。這些性能特性正在支持多個高增長應用中的有利設計活動。”

RFMD的高效率、高功率GaN工藝技術在48V時展現(xiàn)出一流的RF性能，并且具有5.6W/mm平均Psat、超高60%的平均峰值PAE，以及在頻率為2.1GHz時24dB的平均小信號增益。與當前可用的傳統(tǒng)技術相比，RFMD GaN技術的固有電氣特性及出色可靠性提高了帶寬、功率及效率。通過在多個晶圓批次上使用三溫測試，計算的180攝氏度（工作結溫）時的中值失效時間(MTTF)大于1x106小時。

更多RFMD信息，請訪問：www.rfmd.com。

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