【產(chǎn)通社，1月18日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會于2017年1月9日上午在北京人民大會堂隆重舉行，其獨立完成的“氧化物阻變存儲器機(jī)理與性能調(diào)控”項目獲得2016年國家自然科學(xué)二等獎。 
 
“氧化物阻變存儲器機(jī)理與性能調(diào)控”項目主要完成人為劉明、劉琦、管偉華、龍世兵、王艷。高性能存儲是信息技術(shù)的基礎(chǔ)，本項目針對新型氧化物阻變存儲技術(shù)中的基礎(chǔ)科學(xué)問題開展了系統(tǒng)研究，主要科學(xué)發(fā)現(xiàn)包括在納米尺度揭示了阻變機(jī)理、發(fā)現(xiàn)了功能層摻雜調(diào)控存儲性能的規(guī)律、提出了局域電場增強(qiáng)器件參數(shù)一致性的方法。8篇代表性論文和20篇主要論文分別被SCI他引750次、1158次，作為典型進(jìn)展被寫入15本著作和40篇綜述，成功研制了基于HfO2的1kb阻變存儲器測試芯片，相關(guān)專利已授權(quán)/許可給中芯國際和武漢新芯。 

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