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恩智浦基于SiGeC BiCMOS工藝的BFU725F微波晶體管批量上市
2007/11/6 9:26:18     NXP

(產(chǎn)通社/深圳,11月6日訊)恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天發(fā)布了BFU725F微波NPN晶體管,這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。BFU725F具有高開關(guān)頻率、高增益和超低噪音等多重特點(diǎn),使其成為各種RF應(yīng)用的理想解決方案。超低噪聲可以改善各種無(wú)線設(shè)備(例如GPS系統(tǒng)、DECT電話、衛(wèi)星無(wú)線電設(shè)備、WLAN/CDMA應(yīng)用)中靈敏的RF接收器的接收效果,而超高斷開頻率則可以很好地滿足運(yùn)行頻率在10GHz到30GHz以內(nèi)的各種應(yīng)用(例如衛(wèi)星低噪音電路塊)的需求。

為解決當(dāng)今設(shè)備的性能需求和生產(chǎn)商考慮的成本問題,BFU725F晶體管在開發(fā)時(shí)使用了恩智浦用于分立器件的硅鍺碳(SiGeC)工藝技術(shù),該工藝還用于開發(fā)單片IC和寬帶晶體管。

CalAmp公司工程衛(wèi)星產(chǎn)品總監(jiān)Bruce Bruchan先生表示,“我們選擇了恩智浦的SiGeC BiCMOS技術(shù),因?yàn)樽罱K結(jié)果表明極具成本效益的硅基分立器件既能提供杰出的功率增益,又具備優(yōu)良的動(dòng)態(tài)范圍。恩智浦不斷開發(fā)利用SiGeC BiCMOS技術(shù)制造的產(chǎn)品,并通過(guò)持續(xù)創(chuàng)新應(yīng)對(duì)快速變化的微波和無(wú)線市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,展示了該公司對(duì)客戶的承諾。”

除已經(jīng)上市的解決方案外,包括TFF1004HN(用于衛(wèi)星低噪音電路塊的高度集成IC)和BFU725F微波晶體管,恩智浦正在開發(fā)其他幾種硅基寬帶晶體管和MMIC(單片微波IC),預(yù)計(jì)將于今年年底和2008年年初面世。

恩智浦創(chuàng)新經(jīng)理Bart Smolders教授表示,“QUBiC4X旨在滿足實(shí)際高頻應(yīng)用,巧妙結(jié)合了超高的功率增益和優(yōu)良的動(dòng)態(tài)范圍。我們的主張是要?jiǎng)?chuàng)造一種采用硅基工藝且具砷化鎵(GaAs)性能的技術(shù),這樣我們就可以提供具有成本效益的集成高頻解決方案!

BFU725F符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),可達(dá)到極低的噪音(1.8GHz時(shí)0.43dB/5.8GHz時(shí)0.7dB)和很高的最大穩(wěn)定增益(1.8GHz時(shí)27dB/18GHz時(shí)10dB)。獨(dú)有特點(diǎn)包括高達(dá)fT 70GHz的開關(guān)頻率并封裝在SOT343F塑料表面貼裝封裝包中。

恩智浦的BFU725F微波晶體管現(xiàn)已大批量上市。更多詳情,請(qǐng)?jiān)L問http://www.nxp.com。

    (完)
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