【產(chǎn)通社，11月21日訊】高通公司（Qualcomm Incorporated；NASDAQ股票代碼：QCOM）官網(wǎng)消息，其子公司Qualcomm Technologies（QTI）和三星電子有限公司延續(xù)雙方十年之久的戰(zhàn)略性晶圓代工合作，將采用三星10nm FinFET制程工藝打造Qualcomm Technologies最新款頂級(jí)處理器——Qualcomm驍龍835處理器。

今年10月，三星宣布率先在業(yè)界實(shí)現(xiàn)了10nm FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14nm FinFET工藝相比，三星10nm工藝可以在減少高達(dá)30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%的功耗降低。通過(guò)采用10nm FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。制程工藝的提升與更先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)相結(jié)合，預(yù)計(jì)將會(huì)顯著提升電池續(xù)航。

目前，驍龍835已經(jīng)投入生產(chǎn)，預(yù)計(jì)搭載驍龍835的商用終端將于2017年上半年出貨。驍龍820/21處理器已經(jīng)擁有超過(guò)200款設(shè)計(jì)發(fā)布或正在開(kāi)發(fā)中，驍龍835正是其后續(xù)產(chǎn)品。查詢(xún)進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.qualcommhalo.com。     （完）