【產(chǎn)通社，11月10日訊】西安電子科技大學(xué)（Xidian University）官網(wǎng)消息，其微電子學(xué)院郝躍院士科研團(tuán)隊(duì)的研究生王洪娟和張虹霄在IEEE 13th International Conference on Solid State and Integrated Circuits Technology（簡(jiǎn)稱ICSICT）2016年會(huì)上獲得了“Excellent Student Paper Award”獎(jiǎng)項(xiàng)。

在郝躍院士的帶領(lǐng)下，微電子學(xué)院在非硅微電子器件的研究方向上取得了重要的進(jìn)展。非硅微電子器件是后摩爾時(shí)代的主流技術(shù)，也是郝躍院士近年來(lái)主要推動(dòng)的研究方向之一。韓根全教授指導(dǎo)的研究生王洪娟同學(xué)，在鍺與鍺錫量子阱高遷移率CMOS和隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究中取得了國(guó)際一流的研究成果。會(huì)議上，王洪娟同學(xué)做了題目為“High Mobility Ultra-Thin Ge and GeSn Channel PMOSFETs Fabricated on Si Platform”的口頭報(bào)告，報(bào)道的SOI襯底上應(yīng)變鍺量子阱pMOSFET空穴遷移率高達(dá)897cm2/Vs，相比于常規(guī)Si器件提高了18倍。她的報(bào)告獲得了包括IEEE Electron Device Letters雜志編輯Albert Chin 教授等在內(nèi)的多名國(guó)際知名專家的高度評(píng)價(jià)。張春福教授指導(dǎo)的研究生張虹霄同學(xué)，其關(guān)于鈣鈦礦太陽(yáng)能電池研究的張貼報(bào)告也獲得廣泛好評(píng)。

ICSICT會(huì)議是國(guó)際微電子領(lǐng)域的重要會(huì)議，第13屆IEEE固態(tài)和集成電路國(guó)際會(huì)議于2016年10月25-28日在杭州召開(kāi)，時(shí)值30周年之際，大會(huì)邀請(qǐng)耶魯大學(xué)T. P. Ma教授等眾多微電子行業(yè)杰出人物分別做了精彩的主題報(bào)告。英特爾、IBM及臺(tái)積電的研發(fā)部門和IMEC等單位紛紛報(bào)道了其最新的相關(guān)研究成果，國(guó)外多所大學(xué)以及北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)和西安電子科技大學(xué)等高校派出代表參加此次會(huì)議。

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