【產(chǎn)通社，8月31日訊】廈門乾照光電股份有限公司（Xiamen Changelight Co., Ltd；股票代碼：300102）2016年半年度報(bào)告顯示，其堅(jiān)持自主創(chuàng)新，積極展開專利布局，加大研發(fā)項(xiàng)目的投入，迅速推進(jìn)公司多元化產(chǎn)品的研發(fā)，提升公司綜合發(fā)展實(shí)力。

報(bào)告期內(nèi)，公司共新申請1項(xiàng)外觀設(shè)計(jì)、46項(xiàng)發(fā)明專利及28項(xiàng)實(shí)用新型。具體情況（專利類型、專利名稱、專利號、授權(quán)日期）如下：
1 外觀設(shè)計(jì) LED路燈 201630110271.2 2016.04.06
2 發(fā)明專利 一種具有高可靠性透明導(dǎo)電層的發(fā)光二極管 201610018937.0 2016.01.13
3 發(fā)明專利 一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管及其制作方法 201610039158.9 2016.01.21
4 發(fā)明專利 高比功率GaAs多結(jié)柔性薄膜太陽電池及其制備方法 201610062060.5 2016.01.29
5 發(fā)明專利 能增進(jìn)橫向電流擴(kuò)散并擁有雙反射表面的LED芯片電極結(jié)構(gòu) 201610071720.6 2016.02.02
6 發(fā)明專利 提高氮化物發(fā)光二極管P型摻雜濃度的外延生長方法 201610098961.X 2016.02.24
7 發(fā)明專利 一種高壓LED及其制作工藝 201610103085.5 2016.02.25
8 發(fā)明專利 一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的氮化物緩沖層 201610117134.0 2016.03.02
9 發(fā)明專利 一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的氮化物緩沖層制作方法 201610117133.6 2016.03.02
10 發(fā)明專利 采用金屬納米線電極的氮化鎵基發(fā)光二極管及其生產(chǎn)方法 201610145435.4 2016.03.15
11 發(fā)明專利 一種增加發(fā)光面積LED芯片結(jié)構(gòu)及制作方法 201610152156.0 2016.03.17
12 發(fā)明專利 一種CSP封裝芯片結(jié)構(gòu)及制作方法 201610152153.7 2016.03.17
13 發(fā)明專利 一種具有側(cè)壁微結(jié)構(gòu)的氮化鎵基發(fā)光二極管及其加工工藝 201610155125.0 2016.03.18
14 發(fā)明專利 一種砷化鎵基底低亮度黃光發(fā)光二極管芯片及其制作方法 201610179568.3 2016.03.28
15 發(fā)明專利 一種砷化鎵基高電壓黃綠光發(fā)光二極管芯片及其制作方法 201610191079.X 2016.03.30
16 發(fā)明專利 一種復(fù)合透明導(dǎo)電層的制作工藝 201610212122.6 2016.04.07
17 發(fā)明專利 一種正裝GaN LED芯片及其制作方法 201610212121.1 2016.04.07
18 發(fā)明專利 表面覆蓋ITO的反極性AlGaInP基LED及其制造方法 201610216232.x 2016.04.08
19 發(fā)明專利 一種自動(dòng)控制Z軸運(yùn)動(dòng)的LED探針臺尋邊器 201610220154.0 2016.04.11
20 發(fā)明專利 一種提高背光源亮度的襯底 201610219667.X 2016.04.11
21 發(fā)明專利 一種提高背光源亮度的襯底的制作方法 201610219660.8 2016.04.11
22 發(fā)明專利 一種正裝LED發(fā)光二極管及其制作工藝 201610253384.7 2016.04.22
23 發(fā)明專利 一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制作方法 201610259089.2 2016.04.25
24 發(fā)明專利 一種不易發(fā)生翹曲的大尺寸發(fā)光二極管外延片 201610273818.X 2016.04.28
25 發(fā)明專利 一種增強(qiáng)注入型的發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)生長方法 201610273688.X 2016.04.28
26 發(fā)明專利 一種不易發(fā)生翹曲的大尺寸發(fā)光二極管外延片制作方法 201610273690.7 2016.04.28
27 發(fā)明專利 一種具有倒梯形圓臺體的微米線發(fā)光二極管 201610273817.5 2016.04.28
28 發(fā)明專利 一種具有倒梯形圓臺體的微米線發(fā)光二極管制作方法 201610273774.0 2016.04.28
29 發(fā)明專利 一種四元系LED芯片的生產(chǎn)工藝 201610291800.2 2016.05.05
30 發(fā)明專利 一種LED芯片的wafer分區(qū)測試方法 201610294826.2 2016.05.05
31 發(fā)明專利 一種低成本發(fā)光二極管及其制作方法 201610350423.5 2016.05.25
32 發(fā)明專利 一種LED晶圓劈裂方法 201610359079.6 2016.05.27
33 發(fā)明專利 一種高亮度反極性的AlGaInP基發(fā)光二極管晶圓及其制造方法 201610385591.8 2016.06.03
34 發(fā)明專利 一種具有可剝離結(jié)構(gòu)的GaN系發(fā)光二極管制作方法 201610396426.2 2016.06.07
35 發(fā)明專利 一種具有可剝離結(jié)構(gòu)的GaN系發(fā)光二極管 201610396403.1 2016.06.07
36 發(fā)明專利 一種具有生長過程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu) 201610425763.X 2016.06.16
37 發(fā)明專利 一種具有阱區(qū)摻雜的發(fā)光二極管 201610426634.2 2016.06.16
38 發(fā)明專利 一種具有生長過程可調(diào)節(jié)翹曲的發(fā)光二極管外延生長方法 201610425301.8 2016.06.16
39 發(fā)明專利 一種增加演色性的白光LED結(jié)構(gòu)制作方法 201610426652.0 2016.06.16
40 發(fā)明專利 一種增加演色性的白光LED結(jié)構(gòu) 201610425669.4 2016.06.16
41 發(fā)明專利 一種具有阱區(qū)摻雜的發(fā)光二極管外延生長方法 201610425239.2 2016.06.16
42 發(fā)明專利 一種LED及其制造方法 201610426653.5 2016.06.16
43 發(fā)明專利 一種集成可見光指示裝置的紫外發(fā)光二極管及其生產(chǎn)方法 201610456572.X 2016.06.22
44 發(fā)明專利 一種AC.LED結(jié)構(gòu)及其制造方法 201610451334.X 2016.06.22
45 發(fā)明專利 一種垂直結(jié)構(gòu)AlGaInP基發(fā)光二極管及其制造方法 201610451269.0 2016.06.22
46 發(fā)明專利 增加ESD保護(hù)的LED芯片結(jié)構(gòu)及制造方法 201610458487.7 2016.06.23
47 發(fā)明專利 一種簡易ODR結(jié)構(gòu)的倒裝氮化鎵基發(fā)光二極管及其制備方法 201610461104.1 2016.06.23
48 實(shí)用新型 一種具有高可靠性透明導(dǎo)電層的發(fā)光二極管 201620027108.4 2016.01.13
49 實(shí)用新型 一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管 201620057121.4 2016.01.21
50 實(shí)用新型 高比功率GaAs多結(jié)柔性薄膜太陽電池 201620090175.0 2016.01.29
51 實(shí)用新型 能增進(jìn)橫向電流擴(kuò)散并擁有雙反射表面的LED芯片電極結(jié)構(gòu) 201620103259.3 2016.02.02
52 實(shí)用新型 一種高壓LED 201620140940.5 2016.02.25
53 實(shí)用新型 一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的氮化物緩沖層 201620157950.X 2016.03.02
54 實(shí)用新型 采用金屬納米線電極的氮化鎵基發(fā)光二極管 201620196473.8 2016.03.15
55 實(shí)用新型 一種增加發(fā)光面積LED芯片結(jié)構(gòu) 201620205190.5 2016.03.17
56 實(shí)用新型 一種CSP封裝芯片結(jié)構(gòu) 201620205188.8 2016.03.17
57 實(shí)用新型 一種具有側(cè)壁微結(jié)構(gòu)的氮化鎵基發(fā)光二極管 201620209079.3 2016.03.18
58 實(shí)用新型 一種砷化鎵基底低亮度黃光發(fā)光二極管芯片 201620240922.4 2016.03.28
59 實(shí)用新型 一種砷化鎵基高電壓黃綠光發(fā)光二極管芯片 201620255314.0 2016.03.30
60 實(shí)用新型 一種具有表面增透層的氮化鎵基發(fā)光二極管芯片 201620277105.6 2016.04.06
61 實(shí)用新型 一種提高電流擴(kuò)散的LED芯片 201620282727.8 2016.04.07
62 實(shí)用新型 一種正裝GaN LED芯片 201620282725.9 2016.04.07
63 實(shí)用新型 表面覆蓋ITO的反極性AlGaInP基LED 201620289504.4 2016.04.08
64 實(shí)用新型 一種自動(dòng)控制Z軸運(yùn)動(dòng)的LED探針臺尋邊器 201620294694.9 2016.04.11
65 實(shí)用新型 一種提高背光源亮度的襯底 201620294098.0 2016.04.11
66 實(shí)用新型 一種氮化鎵基發(fā)光二極管 201620337327.2 2016.04.21
67 實(shí)用新型 一種正裝LED發(fā)光二極管 201620343301.9 2016.04.22
68 實(shí)用新型 一種LED路燈的光源安裝結(jié)構(gòu)及LED路燈 201620339715.4 2016.04.22
69 實(shí)用新型 一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管 201620351092.2 2016.04.25
70 實(shí)用新型 一種增強(qiáng)注入型的發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu) 201620373028.4 2016.04.28
71 實(shí)用新型 一種低成本發(fā)光二極管 201620481433.8 2016.05.25
72 實(shí)用新型 LED晶圓激光裝置 201620494103.2 2016.05.27
73 實(shí)用新型 一種LED晶圓激光裝置 201620494101.3 2016.05.27
74 實(shí)用新型 一種高亮度反極性的AlGaInP基發(fā)光二極管晶圓 201620529421.8 2016.06.03
75 實(shí)用新型 一種垂直結(jié)構(gòu)AlGaInP基發(fā)光二極管 201620615149.5 2016.06.22

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