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IRS2092和IRF6645:針對50-500W應用的D類音頻芯片組
2007/10/9 7:28:54     IR公司

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(產通社/深圳,108日訊)全球功率管理技術領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出了采用IRS2092集成式音頻驅動器IC的芯片組,具有保護式脈寬調制(PWM)開關和IR完整的數(shù)字音頻MOSFET等特性。該芯片組主要針對從50W 500W的中功率、高性能D類音頻放大器應用,例如家庭影院、家庭立體聲音響、有源揚聲器、樂器和專業(yè)音頻應用等。

 

IR級銷售副曾海邦先生表示:“IR推出的此款芯片組可使D類音頻設計的效率和面積優(yōu)勢更好地融入高性能的放大器中,從而在不影響音頻性能的基礎上大幅減少AB類設計所需的占板面積。特別可喜的是該集成電路還可極大地簡化設計師的工作,只要用靈活的‘構建模塊’ 方法就可以實現(xiàn)保護、死區(qū)時間設定和PWM調節(jié),并只需簡單更換MOSFET就可以輕松應付設計需求的改變。”

 

新型芯片形成的D類音頻解決方案要比AB類設計方案的面積更小。例如,在100W的應用中,IRS2092 ICIRF6645 DirectFET MOSFET可以減少60% 的占板面積,也比典型材料表減少20%的器件數(shù)量。

 

IRS2092 音頻IC技術資料

 

新的音頻驅動IC基于半橋拓撲構架,集成了D類設計實現(xiàn)所需的四個基本功能,其中包括誤差放大器、PWM比較器、柵極驅動器和強大的保護電路。因此,這款緊湊型16引腳IC具有極高的抗噪性,可以降低開始和結束時的破音,同時極大地減少一些諸如過負載保護等非常復雜而又昂貴的設計工作。

 

IRS2092的主要功能包括:頻率可達800kHz模擬PWM調節(jié)器、具有自復位控制功能的可編程雙向過電流保護(OCP)、壓鎖定保護(UVLO),以及可以擴展功率設計的可編程預死區(qū)時間等。

 

數(shù)字音頻MOSFET技術資料

 

IC還備有豐富的數(shù)字音頻MOSFET,可滿足從50W500W的輸出功率。作為IRIRFI4x、IRFB422xDirectFET系列的一部分,這些MOSFET都對音頻性能的關鍵參數(shù)進行了優(yōu)化,例如效率、總諧波失真(THD和電磁干擾(EMI)。

 

IRAUDAMP5 參考設計

 

IRAUDAMP5參考設計可加速開發(fā)和評估。在IRS2092 IC IRF6645 DirectFET功率MOSFET基礎上,雙通道設計采用120W半橋功率放大器,可以適用于不同功率和通道數(shù),在正常工作環(huán)境下無需散熱器。該設計在120WMOSFET 級可實現(xiàn)96%的效率,在1kHz、60W、4Ω的條件下THD+N0.005%(均為典型值 。

 

IC 規(guī)格

產品編號

電壓

流入/流出電流

VccRange (UVLO)

最小/最大輸出電壓

選擇死區(qū)時間

邏輯兼容輸入

IRS2092(S)PBF

+/-100V

1.2/1.0A

10-18V

10-18V

25/45/75/105ns

3.3/5.0V

 

MOSFET 規(guī)格

產品編號

封裝

最大額定電壓

典型Rds(on) @10v

Id@Tc = 25°C

典型Qg

IRF6645

DirectFET SJ

100V

28mOhms

25A

14nC

IRF6665

DirectFET SH

100V

53mOhms

19A

8.7nC

IRF6775M

DirectFET MZ

150V

47mOhms

28A

25nC

IRF6785M

DirectFET MZ

200V

85mOhms

19A

26nC

IRFB4227PBF

TO220-AB

200V

20mOhms

65A

70nC

IRFI4024H-117P

TO-220 Full-Pak 5P

55V

48mOhms

11A

8.9nC

IRFI4212H-117P

TO-220 Full-Pak 5P

100V

58mOhms

11A

12nC

IRFI4019H-117P

TO-220 Full-Pak 5P

150V

80mOhms

8.7A

13nC

IRFI4020H-117P

TO-220 Full-Pak 5P

200V

80mOhms

9.1A

19nC

 

 有關新器件的詳細數(shù)據(jù),敬請登陸IR 網站http://www.irf.com。

    (完)
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