【產(chǎn)通社，5月6日訊】廈門乾照光電股份有限公司（Xiamen Changelight Co., Ltd；股票代碼：300102）2015年年度報(bào)告顯示，其報(bào)告期內(nèi)有2項(xiàng)發(fā)明專利和28項(xiàng)實(shí)用新型專利獲得授權(quán)，新申請(qǐng)40項(xiàng)發(fā)明專利和13項(xiàng)實(shí)用新型專利并已獲受理，為專利布局打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

其中，報(bào)告期內(nèi)新申請(qǐng)的53項(xiàng)專利情況（序號(hào)、專利類型、專利名稱、專利號(hào)、授權(quán)日期）如下：
1 發(fā)明專利 一種雙反射鏡結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制造方法 201510061355.6 2015.2.6
2 發(fā)明專利 一種高亮度發(fā)光二極管及其制造方法 201510061354.1 2015.2.6
3 發(fā)明專利 一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)的集成LED芯片及其生產(chǎn)方法 201510062397.1 2015.2.6
4 發(fā)明專利 一種高效電流注入發(fā)光二極管及其生產(chǎn)方法 201510061407.X 2015.2.6
5 發(fā)明專利 一種近紅外發(fā)光二極管及其生產(chǎn)方法 201510061504.9 2015.2.6
6 發(fā)明專利 一種具有立體發(fā)光結(jié)構(gòu)的高壓發(fā)光二極管 201510122251.1 2015.3.20
7 發(fā)明專利 一種具有立體發(fā)光結(jié)構(gòu)的高壓發(fā)光二極管制作方法 201510122849.0 2015.3.20
8 發(fā)明專利 一種具有表面粗化結(jié)構(gòu)的三結(jié)GaAs太陽電池及其制備方法 201510143508.1 2015.3.30
9 發(fā)明專利 LED蒸發(fā)臺(tái)鍍鍋裝置 201510143104.2 2015.3.30
10 發(fā)明專利 一種反極性的AlGaInP基發(fā)光二極管的制造方法 201510143017.7 2015.3.30
11 發(fā)明專利 一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置和解剖方法 201510457709.9 2015.7.30
12 發(fā)明專利 一種具有微光學(xué)傳輸系統(tǒng)的發(fā)光二極管 201510570680.5 2015.9.9
13 發(fā)明專利 可提高發(fā)光二極管發(fā)光效率的微光學(xué)傳輸系統(tǒng)的制作  方法 201510570377.5 2015.9.9
14 發(fā)明專利 倒置結(jié)構(gòu)的雙面受光GaAs多結(jié)太陽電池及其制備方法  201510614489.6 2015.9.24
15 發(fā)明專利 一種氮化物系發(fā)光二極管的外延生長(zhǎng)方法 201510627355.8 2015.9.28
16 發(fā)明專利 一種氮化物系發(fā)光二極管 201510627550.0 2015.9.28
17 發(fā)明專利 一種大尺寸發(fā)光二極管 201510652636.9 2015.10.10
18 發(fā)明專利 一種大尺寸發(fā)光二極管制作工藝 201510652928.2 2015.10.10
19 發(fā)明專利 一種藍(lán)綠發(fā)光二極管芯片 201510649958.8 2015.10.10
20 發(fā)明專利 一種藍(lán)綠發(fā)光二極管芯片制作工藝 201510649507.4 2015.10.10
21 發(fā)明專利 側(cè)壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法 201510653644.5 2015.10.12
22 發(fā)明專利 一種具有高擴(kuò)展效應(yīng)的發(fā)光二極管 201510703675.7 2015.10.26
23 發(fā)明專利 一種具有高擴(kuò)展效應(yīng)的發(fā)光二極管的制作方法 201510703819.9 2015.10.26
24 發(fā)明專利 一種提升取光效率的GaN-LED芯片 201510717801.4 2015.10.30
25 發(fā)明專利 一種LED芯片及LED芯片的制備方法 201510751194.3 2015.11.9
26 發(fā)明專利 一種集成多孔狀反射層的發(fā)光二極管 201510764604.8 2015.11.11
27 發(fā)明專利 一種集成多孔狀反射層的發(fā)光二極管制作方法 201510765253.2 2015.11.11
28 發(fā)明專利 一種倒置結(jié)構(gòu)太陽能電池 201510763989.6 2015.11.11
29 發(fā)明專利 一種倒置結(jié)構(gòu)太陽能電池制作方法 201510763780.X 2015.11.11
30 發(fā)明專利 一種發(fā)光表面有周期性圖案的高光效倒裝LED的制作方法 201510774057.1 2015.11.13
31 發(fā)明專利 一種具有襯套的坩堝及其在制作紅光LED芯片中的應(yīng)用  201510877709.4 2015.12.4
32 發(fā)明專利 一種提高深紫外發(fā)光二極管P型激活效率的方法 201510905411.X 2015.12.10
33 發(fā)明專利 一種高效發(fā)光二極管芯片的簡(jiǎn)易制作方法 201510916691.4 2015.12.10
34 發(fā)明專利 一種高效發(fā)光二極管芯片 201510918552.5 2015.12.10
35 發(fā)明專利 一種具有高發(fā)光效率的發(fā)光二極管的制作方法 201510912074.7 2015.12.11
36 發(fā)明專利 一種具有高發(fā)光效率的發(fā)光二極管 201510912084.0 2015.12.11
37 發(fā)明專利 一種倒裝藍(lán)綠光芯片的制備方法 201510912092.5 2015.12.11
38 發(fā)明專利 一種倒裝藍(lán)綠發(fā)光二極管芯片 201510912098.2 2015.12.11
39 發(fā)明專利 GaP表面粗化的AlGaInP基LED及其制造方法 201510960558.9 2015.12.21
40 發(fā)明專利 一種串聯(lián)PN結(jié)發(fā)光二極管及其制作方法 201510966137.7 2015.12.22
41 實(shí)用新型 一種倒置結(jié)構(gòu)的雙面受光GaAs多結(jié)太陽電池 201520745057.4 2015.9.24
42 實(shí)用新型 一種大尺寸發(fā)光二極管 201520783121.8 2015.10.10
43 實(shí)用新型 一種藍(lán)綠發(fā)光二極管芯片 201520780241.2 2015.10.10
44 實(shí)用新型 側(cè)壁粗化的AlGaInP基LED 201520784343.1 2015.10.12
45 實(shí)用新型 一種倒置結(jié)構(gòu)太陽能電池 201520893875.9 2015.11.11
46 實(shí)用新型 一種發(fā)光二極管芯片形狀改進(jìn)結(jié)構(gòu) 201520956955.4 2015.11.26
47 實(shí)用新型 一種具有襯套的坩堝 201520991820.1 2015.12.4
48 實(shí)用新型 一種高效發(fā)光二極管芯片 201521027641.2 2015.12.10
49 實(shí)用新型 一種具有高發(fā)光效率的發(fā)光二極管 201521024108.0 2015.12.11
50 實(shí)用新型 一種倒裝藍(lán)綠發(fā)光二極管芯片 201521024111.2 2015.12.11
51 實(shí)用新型 GaP表面粗化的AlGaInP基LED 201521068093.8 2015.12.21
52 實(shí)用新型 一種串聯(lián)PN結(jié)發(fā)光二極管 201521073125.3 2015.12.22
53 實(shí)用新型 一種可防止晶片滑落的晶片花藍(lán) 201521080140.0 2015.12.23

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