【產(chǎn)通社，4月14日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，2016年中國半導(dǎo)體市場年會暨第五屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會3月24日在北京舉行，其微電子儀器設(shè)備研發(fā)中心出品的等離子體浸沒黑硅表面處理設(shè)備榮獲“第十屆中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎”。 

等離子體浸沒黑硅表面處理設(shè)備采用獨(dú)特創(chuàng)新設(shè)計(jì)，使用長壽命、低氣壓均勻等離子體源，優(yōu)化了反應(yīng)腔內(nèi)氣流分布模型，原創(chuàng)性制備的黑硅技術(shù)具有強(qiáng)大的可見光吸收能力，其采用的32納米以下超淺結(jié)注入工藝，以及結(jié)合預(yù)非晶化處理的浸沒注入技術(shù)等特點(diǎn)獲得了專家評委的一致好評并最終獲獎。 

該設(shè)備為促進(jìn)太陽能電池的應(yīng)用、推動集成電路制造業(yè)的發(fā)展將起到重要的推動作用。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.ime.cas.cn。     （完）