美國西部半導(dǎo)體設(shè)備展覽會（SEMICON WEST）——SAFC Sigma-Aldrich Group (Nasdaq: SIAL)旗下SAFC的業(yè)務(wù)部門SAFC Hitech 7月17日公布了其新的化學(xué)品5年發(fā)展新路線圖的詳細(xì)內(nèi)容。這份藍(lán)圖對硅半導(dǎo)體基片上的有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)法和原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)制程工藝進(jìn)行了勾畫。

SAFC Hitech的這份新藍(lán)圖堅(jiān)持了《國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖》(International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)的綱領(lǐng)，涉及眾多半導(dǎo)體層的廣泛的材料開發(fā)內(nèi)容。開發(fā)的這些材料包括用于邏輯存儲設(shè)備的高介電常數(shù)介電材料、更多功能的存儲器架構(gòu)、動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)或閘極堆迭、阻隔層、配線以及低介電常數(shù)材料。

SAFC Hitech總裁 Barry Leese評論說：“隨著硅半導(dǎo)體行業(yè)從65納米節(jié)點(diǎn)發(fā)展到45納米、32納米甚至更小的節(jié)點(diǎn)，對硅設(shè)備的電物理學(xué)的需求要求進(jìn)行新化學(xué)物質(zhì)的開發(fā)。我們認(rèn)為半導(dǎo)體市場即將進(jìn)入‘化學(xué)時代’，在材料上的不斷發(fā)展是支持未來技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵。正如我們的發(fā)展路線圖所顯示的那樣，通過生產(chǎn)眾多先進(jìn)的產(chǎn)品，SAFC Hitech的技術(shù)實(shí)力正走在這種材料開發(fā)領(lǐng)域的前沿。”

SAFC Hitech研發(fā)部門負(fù)責(zé)人Peter Heys博士補(bǔ)充說：“一直以來，金屬沉積前的介電質(zhì)層使用的都是氧化硅和其他‘傳統(tǒng)’材料。我們正在對該行業(yè)進(jìn)行的探索就是要嘗試化學(xué)元素周期表中的更多元素，使用先前沒有嘗試過的元素來開發(fā)新材料。我們已經(jīng)在生產(chǎn)過程中使用了氧化鋁、氧化鉿、硅酸鉿、氧化鋯和復(fù)合稀土氧化物等氧化物和二元氧化物。這些金屬氧化物的介電常數(shù)很高，如果該行業(yè)仍以符合摩爾定律的速度發(fā)展，那幺在接下來幾年中，這些金屬氧化物將繼續(xù)得到廣泛的開發(fā)使用。”

Heys博士表示：“在該新發(fā)展路線圖的實(shí)施過程中，SAFC Hitech將推出用于硅半導(dǎo)體制造的更復(fù)雜的高介電常數(shù)氧化物，如基于鉿鋯的材料層，這種材料層的靈活性更佳，能摻入其它如硅、氮、鋁、鑭和釔等材料來滿足客戶的個性化需求，創(chuàng)造出滿足特殊裝置設(shè)計(jì)功能要求的材料層。以外，對稀土和鍶化學(xué)材料、二元金屬和復(fù)合金屬氧化物或氧化物的迭代等的研發(fā)將能幫助生產(chǎn)出未來技術(shù)節(jié)點(diǎn)所需的50以上介電常數(shù)的材料�！�

Barry Leese總結(jié)說：“展望未來，將成為高介電常數(shù)介質(zhì)的關(guān)鍵材料是那些擁有合適的物理化學(xué)特性的材料，它們能滿足或超過所有設(shè)備架構(gòu)的沉積性能所需的要求。這些材料將具有適當(dāng)?shù)碾妼W(xué)性質(zhì)，而且對消費(fèi)者來說的成本也應(yīng)該在能接受的范圍之內(nèi)。我們的新發(fā)展路線圖，加上我們經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)團(tuán)隊(duì)、卓越的戰(zhàn)略合作伙伴和全球化的業(yè)務(wù)規(guī)模使我們有能力來充分滿足該市場的需求和預(yù)期�！�

欲知詳情，請?jiān)赟emicon West期間來訪SAFC Hitech（Gateway Hall的3618號攤位），或登陸http://www.safchitech.com，或聯(lián)系SAFC總裁Frank Wicks博士，電話：+1-314-286-8008。