【產(chǎn)通社，9月22日訊】武漢力源信息技術(shù)股份有限公司（Wuhan P&S Information Technology；證券代碼：300184）官網(wǎng)消息，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）為其MDmesh M2系列N-溝道功率MOSFETs增添了新成員，新系列產(chǎn)品能夠為服務(wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及消費電子產(chǎn)品電源提供業(yè)內(nèi)最高能效的電源解決方案，在低負(fù)載條件下的節(jié)能效果尤為顯著，讓設(shè)計人員能夠開發(fā)更輕、更小的開關(guān)式電源，同時輕松達到日益嚴(yán)格的能效目標(biāo)要求。


產(chǎn)品特點


新款600V MDmesh M2 EP產(chǎn)品整合意法半導(dǎo)體經(jīng)過市場檢驗的條形布局（strip layout）和全新改進的垂直結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的擴散工藝（diffusion process），擁有接近理想的開關(guān)設(shè)計，包括超低的導(dǎo)通電阻和最低的關(guān)斷開關(guān)損耗，是特別為甚高頻功率轉(zhuǎn)換器（f>150kHz）專門設(shè)計，為要求最嚴(yán)格的電源供應(yīng)器（PSU, Power Supply Unit）的理想選擇。

硬開關(guān)和軟開關(guān)電路拓?fù)渚m用，包括諧振拓?fù)洌╮esonant topologies），例如LLC諧振，新器件的開關(guān)損耗極低，特別是在低負(fù)載條件下，低損耗更為明顯。除MDmesh M2產(chǎn)品的共性柵電荷量（Qg）極低外，M2 EP產(chǎn)品的關(guān)斷能量（Eoff）還可降低20%，而在硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中，關(guān)斷開關(guān)損耗同樣降低20%。在低電流范圍內(nèi)降低Eoff損耗，有助于提高低負(fù)載能效，進而幫助電源廠商順利達到日益嚴(yán)格的能效認(rèn)證要求。

改進后的關(guān)斷波形（turn-off waveforms）可提高諧振轉(zhuǎn)換器的能效，降低噪聲，每周期回收再利用更多的電能，而不是以散熱的形式浪費掉。

新款MDmesh M2 EP系列的主要特性包括：
  ·極低的Qg（低至16nC）；
  ·針對輕負(fù)載條件優(yōu)化電容曲線（capacitance profile）；
  ·針對軟件開關(guān)優(yōu)化Vth和Rg參數(shù)；
  ·穩(wěn)健的本體二極管（body diode）。


供貨與報價


MDmesh M2 EP系列瞄準(zhǔn)需要高能效的電源應(yīng)用，提供多種封裝選擇（PowerFLAT 5×6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247），所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.icbase.com，以及http://www.st.com/mdmeshm2。    （完）