【產(chǎn)通社，9月10日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，其和復(fù)旦大學(xué)主辦，浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室承辦的“2015年中國原子層沉積技術(shù)交流與學(xué)術(shù)研討會”8月27-29日在杭州成功舉辦，來自全國各地近百位知名教授、專家學(xué)者參加了研討會。 

本次研討會旨在為本領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者提供了解國內(nèi)外ALD工藝、前驅(qū)體源和設(shè)備技術(shù)等方面最新發(fā)展動態(tài)的交流平臺，進(jìn)一步推動我國ALD技術(shù)的快速發(fā)展。研討會上，微電子所趙超研究員、李超波研究員作了最新研究成果報告。與會人員就感興趣的問題積極踴躍提問并進(jìn)行了熱烈的討論。

會議同時舉行了“中國儀表功能材料學(xué)會原子層沉積（ALD）專業(yè)分會”授牌儀式。中國儀表功能材料學(xué)會副秘書長唐逾向微電子所微電子設(shè)備技術(shù)研究室（八室）主任夏洋研究員授予“原子層沉積（ALD）專業(yè)分會”牌匾。 

原子層沉積（ALD）作為一種自限制生長的納米級成膜技術(shù)，具有精確的原子層級厚度控制、高度的共行覆蓋能力、較低的生長溫度等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已被廣泛地應(yīng)用于微電子、光電子、催化、能源、光學(xué)、防護(hù)、生物醫(yī)用材料等領(lǐng)域。 
 
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