【產(chǎn)通社，9月2日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，2015年度美國電氣電子工程師協(xié)會（IEEE）國際電子器件大會（IEDM）文章遴選工作近日結(jié)束，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）研究員劉明課題組的3篇研究論文入選會議文章。 

微電子所三室長期從事新型存儲器研究工作，在存儲器材料、結(jié)構(gòu)、集成以及相關(guān)的物理機(jī)制方面開展了系統(tǒng)的研究工作，取得了系列創(chuàng)新性研究成果，一大批研究成果發(fā)表在Nature Communications、Advanced Materials、ACS Nano、IEEE Electron Devices Letters等相關(guān)領(lǐng)域一流期刊上，得到了國際同行的廣泛引用和認(rèn)可。 

高密度三維集成是存儲器的主要發(fā)展趨勢，在阻變存儲器的三維集成中，漏電問題是核心問題。劉明課題組在國際上首次實(shí)現(xiàn)了四層堆疊結(jié)構(gòu)的垂直交叉陣列，設(shè)計了結(jié)合阻變功能層與低漏電閾值轉(zhuǎn)變層的新型自選通阻變器件，實(shí)現(xiàn)了低漏電、高選擇比、低功耗等特性，并提出了完全兼容于Cu互連工藝的高性能通用選通器件，利用Cu摻雜HfO2材料的閾值轉(zhuǎn)變特性，成功構(gòu)建了具有pA級漏電的通用選通器件。相關(guān)研究論文“Demonstration of 3D Vertical RRAM with Ultra Low-leakage, High-selectivity and Self-compliance Memory Cells”、“Cu BEOL Compatible Selector with High Selectivity（>107）, Extremely Low Off-current（pA）and High Endurance（>1010）”入選IEDM會議文章。 

新型半導(dǎo)體器件集約模型的建立是實(shí)驗(yàn)室環(huán)境器件研發(fā)和工業(yè)化IC設(shè)計的基礎(chǔ)。劉明課題組在國際上首次提出了基于兩種傳輸理論的石墨烯晶體管的物理集約模型。該模型得到了微電子所四室金智課題組的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的驗(yàn)證，經(jīng)過一系列嚴(yán)格的測試方法，證明其可以應(yīng)用到商業(yè)CAD工具中，并對其射頻應(yīng)用進(jìn)行了系統(tǒng)的仿真。相關(guān)研究論文“A New Surface Potential Based Physical Compact Model for GFET in RF Applications”入選IEDM會議文章。 

IEDM是微電子領(lǐng)域頂級會議之一，在國際半導(dǎo)體技術(shù)界具有廣泛的影響力，被譽(yù)為“微電子器件領(lǐng)域的奧林匹克盛會”，每年全球僅100余篇文章入選會議文章。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.ime.cas.cn。    （完）