【產(chǎn)通社，8月11日訊】武漢力源信息技術(shù)股份有限公司（Wuhan P&S Information Technology；證券代碼：300184）官網(wǎng)消息，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源、太陽能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關(guān)（hard-switching）電路拓?fù)?0kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

產(chǎn)品特點(diǎn)

采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個(gè)全新溝柵（trench gate）和特殊設(shè)計(jì)的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之間找到了最佳平衡點(diǎn)，從而能夠大幅提升晶體管的整體性能。在150°C初始高結(jié)溫時(shí)，最小短路耐受時(shí)間為6μs，175°C最大工作結(jié)溫及寬安全工作范圍有助于延長元器件的使用壽命，同時(shí)提高對功率耗散有極高要求的應(yīng)用可靠性。

此外，新產(chǎn)品的封裝還集成了新一代續(xù)流二極管（Free-wheeling Diode）。新二極管提供快速恢復(fù)功能，并同時(shí)保持低正向壓降和高恢復(fù)軟度。這項(xiàng)設(shè)計(jì)不僅可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的EMI保護(hù)功能，同時(shí)可以有效降低開關(guān)損耗。正VCE（sat）溫度系數(shù)，結(jié)合緊密的參數(shù)分布，使新產(chǎn)品能夠安全并聯(lián)，并滿足更大功率的要求。

M系列產(chǎn)品的主要特性：
  ·650V IGBT，大部分競爭產(chǎn)品為600V；
  ·低VCE（sat）（1.55V@25°C）電壓，能夠最大限度降低導(dǎo)通損耗；
  ·出色的穩(wěn)健性，擁有廣泛的安全工作范圍以及無閂鎖現(xiàn)象（latch-free operation）；
  ·業(yè)內(nèi)最佳的Etot-Vce（sat）平衡比；
  ·175°C最大工作結(jié)溫；
  ·高溫短路耐受時(shí)間最短6μs；
  ·電壓過沖有限，確保關(guān)斷期間無振蕩。

M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流，提供各種功率封裝選擇，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長腳封裝，與意法半導(dǎo)體針對高頻工業(yè)應(yīng)用研發(fā)的HB系列650V IGBT（高達(dá)60kHz）相互補(bǔ)充。

供貨與報(bào)價(jià)

新產(chǎn)品已開始量產(chǎn)。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.icbase.com，以及http://www.st.com/igbt。