【產(chǎn)通社，8月3日訊】英特爾公司（Intel Corporation；納斯達克股票代碼：INTC）官網(wǎng)消息，其與美光科技（Micron Technology, Inc.；納斯達克股票代碼：MU）發(fā)表了3D XPoint技術(shù)，這種非揮發(fā)性存儲器擁有十足潛力，能徹底改造任何裝置、應用、服務，讓它們能快速存取大量的資料�，F(xiàn)已開始量產(chǎn)的3D XPoint技術(shù)不僅是存儲器制程科技的重大突破，更是自1989年NAND快閃芯片推出以來第一個新存儲器類別。

英特爾資深副總裁暨非揮發(fā)性存儲器解決方案事業(yè)群總經(jīng)理Rob Crooke表示：“數(shù)十年來業(yè)界尋找各種方法，努力降低處理器與資料之間的延遲，借以加快分析的速度。這種新類別非揮發(fā)性存儲器可以達成此目標，為存儲器與儲存解決方案帶來顛覆性的效能。”
 
美光科技總裁Mark Adams表示：“現(xiàn)代運算其中一項最艱巨的障礙就是處理器存取放在長期儲存媒體內(nèi)資料所耗費的時間。這種新類別非揮發(fā)性存儲器是一項革命性的技術(shù)，不僅使系統(tǒng)能快速存取數(shù)量龐大的資料集，還能讓各界開發(fā)出許多嶄新的應用�！�

產(chǎn)品特點

 
連網(wǎng)裝置與數(shù)位服務的爆炸性成長，產(chǎn)生極其可觀的新數(shù)據(jù)。要讓這些資料發(fā)揮功用，系統(tǒng)必須非�？焖俚貎Υ媾c分析資料，對服務供應商與系統(tǒng)廠商而言產(chǎn)生許多挑戰(zhàn)，在設計存儲器與儲存解決方案時必須在成本、功耗、以及效能等因素之間取得最佳的平衡點。3D XPoint技術(shù)結(jié)合了現(xiàn)今市場上所有存儲器技術(shù)在效能、密度、功耗、非揮發(fā)性、以及成本等方面的優(yōu)點。3D XPoint技術(shù)的速度比NAND高1,000倍，耐用度注三也提升了1,000倍，密度也比傳統(tǒng)存儲器高出10倍。
 
數(shù)位世界以飛快的速度持續(xù)成長–全世界在2013年創(chuàng)造出4.4 zettabytes的資料，到了2020注四年預估將增加到44 zettabytes–3D XPoint技術(shù)能在數(shù)奈秒內(nèi)將龐大的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化成有用的信息。例如，零售商可運用3D XPoint技術(shù)更迅速地辨識金融交易的詐騙模式；醫(yī)療研究人員能實時處理與分析龐大的資料集，讓基因分析與疾病監(jiān)控等復雜作業(yè)加速進行。
 
3D XPoint技術(shù)的各種效能優(yōu)勢還能提升對桌上型計算機的體驗，消費者能在社群媒體上更快互動與合作，或享受更逼真震撼的游戲體驗。此技術(shù)的非揮發(fā)特性亦為各種低延遲儲存應用帶來更多的選擇，因為當裝置電源關(guān)閉后，資料并不會就此消失。

3D XPoint技術(shù)的更多細節(jié)包括：
  ·交叉點陣列結(jié)構(gòu) – 垂直導體連結(jié)1280億個高密度配置的存儲器儲存單元。每個儲存單元存放一個位元的資料。如此緊湊的結(jié)構(gòu)，造就出高效能與高密度的位元儲存空間。
  ·可堆棧 – 除了緊湊的交叉陣列結(jié)構(gòu)外，存儲器儲存單元還會堆棧成好幾層。初期的技術(shù)每個晶粒能儲存128Gb，并有堆棧成兩層的存儲器元件；未來世代的技術(shù)將提高存儲器元件層的數(shù)量，再加上傳統(tǒng)顯影電路的微縮化，將能進一步提升系統(tǒng)容量。
  ·選擇器（Selector） – 系統(tǒng)會藉由改變傳送到每個選擇器的電壓，對存儲器儲存單元進行存取與讀寫資料的動作。這樣的設計省略掉對晶體管的需求，能提高容量并降低成本。
  ·快速切換儲存單元 微型化的儲存單元，加上快速切換的選擇器、低延遲交叉結(jié)構(gòu)陣列、以及快速寫入算法，讓儲存單元能更快切換運作狀態(tài)，速度超越現(xiàn)今各種非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。

供貨與報價

 
3D XPoint技術(shù)晶圓現(xiàn)已在美光的快閃存儲器晶圓廠生產(chǎn)，將于今年稍后為特定客戶開始送樣，英特爾與美光科技正著手開發(fā)內(nèi)含3D XPoint技術(shù)的個別產(chǎn)品。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.intel.com，以及http://www.micron.com。