【產(chǎn)通社，7月23日訊】應(yīng)用材料公司（Applied Materials, Inc.；納斯達(dá)克代號: AMAT）官網(wǎng)消息，其下一代刻蝕設(shè)備Applied Centris Sym3刻蝕系統(tǒng)設(shè)有全新的反應(yīng)腔，可實(shí)現(xiàn)原子級精度工藝。為了克服芯片內(nèi)部特征差異，Centris Sym3系統(tǒng)超越了現(xiàn)有的蝕刻技術(shù)，大幅改善了蝕刻的可控性和精準(zhǔn)度，提供給芯片制造商制造先進(jìn)內(nèi)存和邏輯芯片的密集型三維結(jié)構(gòu)

應(yīng)用材料公司蝕刻業(yè)務(wù)部門副總裁兼總經(jīng)理Raman Achutharaman博士表示：“憑借我們在蝕刻技術(shù)領(lǐng)域20多年的研究成果，以及在精密材料清除工藝方面的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，采用完全全新設(shè)計(jì)的Sym3系統(tǒng)能夠解決行業(yè)內(nèi)現(xiàn)有以及未來即將面臨的諸多挑戰(zhàn)。由于客戶需求十分強(qiáng)勁，該新系統(tǒng)成為應(yīng)用材料公司歷史上應(yīng)用率上升最快的蝕刻設(shè)備，目前在許多領(lǐng)先的晶圓廠都已完成產(chǎn)量爬坡。”

產(chǎn)品特點(diǎn)

Centris Sym3蝕刻系統(tǒng)的反應(yīng)腔采用了應(yīng)用材料公司獨(dú)創(chuàng)的True Symmetry技術(shù)，具有多個調(diào)準(zhǔn)控制頭，能將全球工藝一致性地優(yōu)化至原子級水平。該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)關(guān)鍵是對影響芯片內(nèi)圖形一致性的蝕刻副產(chǎn)品進(jìn)行了有效控制和清除，減少其再沉積，從而解決了刻線邊緣粗糙、負(fù)載效應(yīng)以及缺陷等阻礙新技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的一系列挑戰(zhàn)。此外，先進(jìn)的射頻技術(shù)能有效控制離子能量和角度分布，從而使高深寬比三維結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)無與倫比的垂直分布。

Centris Sym3平臺配備6個刻蝕反應(yīng)腔和2個等離子清洗腔，并配有系統(tǒng)智能監(jiān)控軟件，確保每個刻蝕反應(yīng)腔的所有工藝都能保持精確匹配，從而實(shí)現(xiàn)可重復(fù)、高效率的大批量生產(chǎn)。

供貨與報(bào)價(jià)

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