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ADI ADuM4135隔離式IGBT柵極驅(qū)動器用于電機和電網(wǎng)逆變器
2015/5/29 19:45:16     

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【產(chǎn)通社,5月29日訊】亞德諾半導(dǎo)體公司(Analog Devices, Inc.;NASDAQ: ADI)官網(wǎng)消息,其ADuM4135隔離式IGBT柵極驅(qū)動器可提高工業(yè)電機控制應(yīng)用的電機能效、可靠性和系統(tǒng)控制性能。利用ADuM4135,客戶產(chǎn)品將符合IE3和IE4電機效率標(biāo)準(zhǔn),從而與電機控制和電網(wǎng)逆變器均轉(zhuǎn)向更高頻率切換技術(shù)的業(yè)界趨勢保持一致。安全特性包括集成米勒箝位和去飽和檢測。


產(chǎn)品特點


單封裝ADuM4135集成ADI公司備受贊譽的iCoupler數(shù)字隔離器技術(shù),通過成熟的電流隔離技術(shù)來確保安全性和可靠性,同時實現(xiàn)業(yè)界最佳的特性組合——CMTI(共模瞬變抗擾度)為100kV/µs且傳播延遲為50ns(典型值)。

系統(tǒng)設(shè)計人員可以利用ADuM4135柵極驅(qū)動器的低傳播延遲和偏斜來縮短低高端切換之間的死區(qū)時間,從而將損耗降至最低并改善系統(tǒng)整體性能。突破性的CMTI性能和低傳播延遲還支持新型功率開關(guān)技術(shù),包括SiC和GaN,以便在瞬變更大的系統(tǒng)中使用更高的開關(guān)頻率。ADuM4135采用16引腳寬體SOIC封裝,提供8mm的爬電距離和電氣間隙。

ADuM4135隔離式柵極驅(qū)動器主要特性包括:
 ·4A峰值驅(qū)動輸出能力;
 ·輸出功率器件電阻<1歐姆;
 ·去飽和保護(hù);
 ·隔離去飽和故障報告;
 ·故障時軟關(guān)斷;
 ·帶柵極檢測輸入的米勒箝位輸出;
 ·隔離故障和就緒功能;
 ·低傳播延遲(典型值50ns)/延遲偏斜(典型值15ns)。


供貨與報價


ADuM4135采用16引腳寬體SOIC封裝,現(xiàn)在已經(jīng)供貨,2015年6月全面產(chǎn)量,千片訂量報價2.26美元/片;評估板EVAL-ADuM4135EBZ報價為50.00美元/片。查詢進(jìn)一步信息,請訪問官方網(wǎng)站http://www.analog.com/chin

 

news/n201312984602.gif

ADI HMC1118LP3DE SPDT開關(guān)建立時間比GaAs快100倍

【產(chǎn)通社,5月29日訊】亞德諾半導(dǎo)體公司(Analog Devices, Inc.;NASDAQ: ADI)官網(wǎng)消息,其專門用于9KHz至13GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關(guān)HMC1118LP3DE,具有48dB的高隔離度,在8GHz條件下運行時僅有0.6dB的低插入損耗,非常適合要求苛刻的測試和測量、自動化測試設(shè)備、國防電子產(chǎn)品、無線通信應(yīng)用,充當(dāng)傳統(tǒng)GaAs開關(guān)的更低成本替代產(chǎn)品。


產(chǎn)品特點


HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制產(chǎn)品組合中的第一款產(chǎn)品,展現(xiàn)了硅工藝技術(shù)的固有優(yōu)勢,與傳統(tǒng)的GaAs(砷化鎵)RF開關(guān)相比具有重大明顯優(yōu)勢。這些優(yōu)勢包括:建立時間比GaAs快100倍;提供強大的ESD保護(hù)(達(dá)到2000V,而GaAs僅為250V);能夠擴展開關(guān)的低頻端,比GaAs低1000倍,同時保持高線性度。 

HMC1118LP3DE還提供4W的業(yè)界領(lǐng)先RF功率處理能力,在熱切換工作模式下達(dá)到0.5W。它的熱切換功率處理能力超出了具有相同RF帶寬的競爭器件的兩倍,這使工程師能夠在他們的應(yīng)用和系統(tǒng)中提高RF功率,而不會產(chǎn)生器件損壞的風(fēng)險HMC1118LP3DE專為高隔離度進(jìn)行了優(yōu)化,在最大13GHz的寬工作頻率范圍內(nèi)提供極其平坦的傳遞特性,同時保持最低9kHz的高信號保真度。

HMC1118LP3DE SPDT開關(guān)的主要特性包括:
 ·非反射式50歐姆設(shè)計;
 ·正控制:0/+3.3V;
 ·低插入損耗:0.68dB(8GHz時);
 ·高隔離度:50dB(8GHz時);
 ·9KHz的低截止頻率;
 ·7.5微秒的快速建立時間(對于0.05dB的最終RF輸出電平);
 ·業(yè)界領(lǐng)先的高功率處理能力:35.5dBm的通過路徑,27dBm端接路徑和熱切換應(yīng)用;
 ·高線性度:P1dB:+37dBm(典型值);
 ·IIP3:+61dBm(典型值);
 ·ESD額定值:2KV HBM。


供貨與報價

 
HMC1118LP3DE采用3×3mm QFN SMT封裝,千片訂量6.18美元/片。查詢進(jìn)一步信息,請訪問官方網(wǎng)站http://www.analog.com/chin

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