【產通社，5月25日訊】應用材料公司（Applied Materials, Inc.；納斯達克代號: AMAT）官網(wǎng)消息，其Applied Endura Cirrus HTX物理氣相沉積（physical vapor deposition，PVD）系統(tǒng)采用突破性硬掩模技術，可支持10nm及更小的銅互連圖形生成。芯片尺寸的不斷縮小需要更先進的硬掩模技術，從而保證緊湊、微型互連結構的完整性。隨著這一全新技術的推出，應用材料公司成功延續(xù)氮化鈦（titanium nitride，TiN）金屬硬掩模，滿足未來先進微芯片銅互連圖形生成的需求。

應用材料公司金屬沉積產品業(yè)務部副總裁兼總經(jīng)理Sundar Ramamurthy博士表示：“解決先進互連圖形生成的挑戰(zhàn)是金屬硬掩模（metal hardmask）精密工程領域的關鍵。應用材料公司過去數(shù)十年來始終致力于將PVD技術應用于TiN膜工程領域，Cirrus HTX TiN系統(tǒng)的推出是我們的又一大創(chuàng)新力作。結合我們獨特的VHF技術，這款新產品使客戶能靈活地調整TiN硬掩模的壓縮和拉伸應力，從而克服系統(tǒng)整合方面的具體挑戰(zhàn)�！�

當今的先進微芯片技術能夠將20km長的銅線裝入100mm2的狹小空間內，將其堆疊成10層，在層與層之間有多達100億個通孔或垂直互連。金屬硬掩模的作用是保持這些軟ULK電介質中的銅線和通孔的圖形完整性。然而，隨著芯片尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)TiN硬掩膜層的壓縮應力可能會導致ULK薄膜中的狹窄銅線圖案變形或倒塌。以Cirrus HTX沉積的TiN硬掩膜則提供了獨特的應力調節(jié)功能，這一特殊性能加上良好蝕刻選擇性，實現(xiàn)優(yōu)異的的關鍵尺寸（critical dimension，CD）線寬控制及通孔對準，從而提高產品良率。

TiN硬掩模技術的突破主要歸功于硅片生產中的精密材料工程，使其制造出高密度、低應力的薄膜。在久經(jīng)市場考驗的Endura平臺上，結合了兼具膜厚度均勻性和低缺陷率，Cirrus HTX系統(tǒng)能夠滿足多互聯(lián)層圖形生成的大規(guī)模量產需求帶來的嚴峻挑戰(zhàn)。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.appliedmaterials.com。