【產(chǎn)通社，5月20日訊】飛思卡爾半導(dǎo)體（Freescale Semiconductor；NYSE:FSL）消息，其兩款采用全新先進(jìn)塑料封裝的超寬帶RF功率氮化鎵（GaN）晶體管。借助這些新型封裝和產(chǎn)品，飛思卡爾正在釋放GaN性能的真正潛力，并在提供業(yè)界最佳性能的GaN器件方面，已經(jīng)取得了重大突破。

飛思卡爾高級副總裁兼射頻業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Paul Hart表示：“借助這兩款業(yè)界領(lǐng)先帶寬的產(chǎn)品，我們的客戶采用一個射頻器件替換兩個甚至三個獨立的RF PA器件，大大降低了系統(tǒng)成本。 此外，這些器件具有超低的熱阻，可使客戶降低冷卻系統(tǒng)的成本，而且它們能夠以全連續(xù)波（CW）額定功率運行，滿足更高溫度的應(yīng)用情況�！� 

飛思卡爾Fellow兼RF封裝開發(fā)部負(fù)責(zé)人Mali Mahalingam表示：“我們不斷創(chuàng)新，采用冶金方式將GaN-on-SiC芯片與銅法蘭相結(jié)合，然后將它們模壓塑形，實現(xiàn)前所未有的熱性能。此外，這種新封裝的平臺支持復(fù)雜的內(nèi)部匹配方案，實現(xiàn)卓越的寬帶性能�！�

產(chǎn)品特點

OM-270新封裝提供雙引腳和八引腳配置，還可將飛思卡爾專用OMNI RF塑封技術(shù)拓展至最小外形封裝中，并增加與GaN的兼容性。飛思卡爾以下兩個封裝的RF功率GaN晶體管充分利用這種先進(jìn)的封裝技術(shù)，提高性能水平：
（1）MMRF5015N：這是一款真正的CW超帶寬GaN晶體管，功率為100W，電壓為50V，非常適合高功率軍用和民用通信系統(tǒng)。MMRF5015N的熱阻不到0.8°C/W，這表明它比同類競爭產(chǎn)品的熱阻性能高30%以上。MMRF5015N樣品可以在評估套件中提供，展示前所未有的200-2500MHz帶寬，實現(xiàn)全頻段天線至少12db的增益和40%的效率提高。
（2）MMRF5011N：這是一款真正的CW超帶寬晶體管，功率為10W，電壓為28V，在可用應(yīng)用電路中帶寬為200-2600MHz。MMRF5011非常適合更低功耗的軍用和民用手持無線電通信設(shè)備，現(xiàn)在已開始提供樣品。

供貨與報價

這兩款新產(chǎn)品計劃2015年第三季度批量生產(chǎn)，它們包含在飛思卡爾產(chǎn)品長期供貨計劃內(nèi)，因為所有產(chǎn)品都屬于射頻軍用產(chǎn)品組合。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.Freescale.com/productlongevity。（劉之琳）