英特爾公司11月18日宣布，開始量產(chǎn)供應(yīng)業(yè)界第一款90納米多層單元(Multi-Level Cell，MLC)NOR快閃記憶體。新款I(lǐng)ntel StrataFlash Cellular Memory (M18)元件提供較先前130納米版本元件更快的效能、更高的密度、以及更低的耗電量，滿足具有相機(jī)、彩色螢?zāi)�、Web瀏覽以及影片播放等多功能手機(jī)的需求。
    英特爾公司副總裁暨快閃產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理 Darin Billerbeck表示：“快閃記憶體是推動(dòng)新一代手機(jī)應(yīng)用的重要技術(shù)。M18元件為手機(jī)設(shè)計(jì)人員提供獨(dú)特的效能、密度與低耗電的組合，滿足現(xiàn)今手機(jī)的需求。此外，M18采用英特爾可靠且具價(jià)格競爭力的第五代MLC技術(shù)以及90納米制程�！�
    M18提供業(yè)界最快的讀取速度，讓新款快閃記憶體達(dá)到與新一代手機(jī)晶片組一樣的匯流排時(shí)脈——最高達(dá)133MHz。由于晶片組與記憶體之間的互動(dòng)速度較130納米版本的元件高，這種速度更符合使用者應(yīng)用的需求。M18的寫入速度高達(dá)每秒0.5MB，能支援3MP(百萬像素)相機(jī)與MPEG4格式的影片。出廠前編程速度較先前的130納米版本快三倍，讓OEM廠商享受更低的生產(chǎn)成本。與前一代產(chǎn)品相較之下，M18編程時(shí)消耗的電力只有三分之一，刪除資料時(shí)消耗的電力只有二分之一，并提供新開發(fā)的Deep Power Down運(yùn)作模式，這些都有助于提高電池續(xù)航力。M18亦提高NOR快閃元件密度，單晶片解決方案可達(dá)256Mb與512Mb的容量，標(biāo)準(zhǔn)堆疊式封裝解決方案可達(dá)1Gb。英特爾領(lǐng)先業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)堆疊技術(shù)透過多個(gè)匯流排架構(gòu)結(jié)合NOR與RAM，改善OEM廠商的上市時(shí)程以及供應(yīng)通路的彈性。
    英特爾現(xiàn)正與手機(jī)產(chǎn)業(yè)的廠商合作，協(xié)助客戶縮短整合時(shí)間、提升效能、以及打造出最佳化的參考設(shè)計(jì)平臺(tái)。Billerbeck表示，英特爾與各大手機(jī)晶片組廠商合作，例如ADI、飛利浦(Philips)、英飛凌(Infineon)、Agere，以及聯(lián)發(fā)科技(MediaTek)等業(yè)者，并和Symbian與MontaVista在內(nèi)的作業(yè)系統(tǒng)廠商合作，協(xié)助確保其產(chǎn)品能支援90納米的M18系列產(chǎn)品。英特爾已爭取到包括NEC以及索尼愛立信(Sony Ericsson)在內(nèi)的八家手機(jī)OEM廠商采用其元件。
    Sony Ericsson公司副總裁暨元件采購部經(jīng)理Peter Carlsson表示：「英特爾StrataFlash手機(jī)記憶體(M18)優(yōu)異的效能、高密度以及價(jià)值，非常適合打造Sony Ericsson的多功能手機(jī)�！�
    為協(xié)助研發(fā)業(yè)者加速整合與推出新款手持式裝置，英特爾推出免權(quán)利金的新一代Intel Flash Data Integrator (Intel FDI)軟體。Intel FDI v7.1提供一套開放式架構(gòu)，讓業(yè)者能輕易整合快閃檔案系統(tǒng)、即時(shí)作業(yè)系統(tǒng)，以及可掛載USB、支援Multi-volume，以及支援RAM緩沖區(qū)等三項(xiàng)新功能。更多資料，請?jiān)L問http://www.intel.com/cd/corporate。