【產(chǎn)通社，5月7日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，其微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊近日在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。

碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、熱導(dǎo)率高等優(yōu)點，是制作高壓、大功率半導(dǎo)體器件的理想材料。碳化硅電力電子器件，特別是SiC MOSFET器件是下一代高效電力電子器件技術(shù)的核心。

碳化硅電力電子器件研究團隊基于微電子所4英寸硅工藝平臺，對SiC MOS界面態(tài)來源與調(diào)控機理等開展了深入研究，開發(fā)了SiC柵氧化和氮化的柵介質(zhì)工藝，將MOS柵電容的CV平帶電壓從3V左右降低到小于0.2V，成功研制出1200V和1700V SiC MOSFET器件。

該項目得到國家自然科學(xué)基金資助，并獲得微電子所與南車株洲電力機車研究所有限公司共建的新型電力電子器件聯(lián)合研發(fā)中心項目支持。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.ime.cas.cn。