近年來，移動通訊的發(fā)展與應用加速了上游零組件材料的研究與開發(fā)。高頻通訊組件一直是大家注目的焦點，最常使用到的Si基材因為本身材料的特性，只適用于低于1GHz左右的頻率，隨著無線通訊在近幾年的發(fā)展，消費者除了語音傳輸，在未來更要求影音數(shù)據(jù)的快速交流，使得半導體材料逐漸的往高頻方面發(fā)展。GaAs之所以吸引人的地方除了可以大批量產(chǎn)，其材料特性更符合目前產(chǎn)品的需求，要求低消耗功率，高線性度與環(huán)境影響度低等優(yōu)點，但是在工藝性能與組件整合度上較Si組件差，目前大部分的應用在無線通訊的射頻部分。
　　射頻部分主要包含有：收發(fā)器(Transceiver)、功率放大器（PA）、鎖相回路（PLL），它們在整個射頻端所占的份額分別為74％、20％及6％。由于整個半導體趨勢要求組件數(shù)目的減少與整合，鎖相回路因整合性高逐漸被取代，因此市場規(guī)模逐漸下降，而功率放大器因工藝與電氣性的特殊性，整合度不會太高，且維持一定的比重，因此在無線通訊半導體市場仍然占有一席之地。
　　GaAs半導體主要應用在手機射頻部分的功率放大器（PA）及高頻的Switch部分，其中在PA組件方面又可區(qū)分成MMIC(單晶微波集成電路)與Module(模塊)兩種，GaAs之MMIC為其主要應用。當然整個GaAs產(chǎn)業(yè)從上游到下游與Si半導體相同，包括了上游晶圓基板的生成，磊晶的制作；中游的芯片制造：黃光、擴散、薄膜和蝕刻到后段的切割與封測。
    以整個砷化鎵組件主要的應用產(chǎn)品有FET、MMIC、Digital三種，其相關應用有FET: 信號MESFET、電源FET、HEMT。MMIC的應用有放大器組件、信號控制組件、I/F組件。Digital應用有Standard Cell組件、Gate Arrays組件等。
    MMIC的終端應用產(chǎn)品有汽車防撞雷達、消費性電子、光纖通訊網(wǎng)絡、無線寬帶網(wǎng)絡與軍事上的用途。近來由于手機與無線接入網(wǎng)絡的蓬勃發(fā)展，因此無線通訊網(wǎng)絡占了大部分的產(chǎn)值。主要是以無線通訊產(chǎn)值最大，而汽車防撞雷達的成長率最高。而整個MMIC產(chǎn)業(yè)從2003-2006之整體CAGR為18%之成長率。
    展望未來三五族化合物的應用市場可以從它的終端產(chǎn)品來推估，主要的應用有手機及無線網(wǎng)絡（WLAN）等，近年來手機市場已經(jīng)趨于飽和，唯一較大成長區(qū)域為中國，而無線局域網(wǎng)絡的普及正方興未艾，全球定位系統(tǒng)、3G手機的推廣將決定三五族市場的規(guī)模。